MOSFET Vishay SUM65N20-30-E3, VDSS 200 V, ID 65 A, D2PAK (TO-263) de 3 pines, , config. Simple
- Código RS:
- 818-7489
- Nº ref. fabric.:
- SUM65N20-30-E3
- Fabricante:
- Vishay
Temporalmente fuera de stock. El producto se entregará cuando vuelva a estar disponible.
Precio unitario (Suministrado en múltiplos de 2)
4,36 €
(exc. IVA)
5,28 €
(inc.IVA)
Unidades | Por unidad | Por Pack* |
---|---|---|
2 - 18 | 4,36 € | 8,72 € |
20 - 48 | 4,095 € | 8,19 € |
50 - 98 | 3,71 € | 7,42 € |
100 - 198 | 3,49 € | 6,98 € |
200 + | 3,27 € | 6,54 € |
*precio indicativo
- Código RS:
- 818-7489
- Nº ref. fabric.:
- SUM65N20-30-E3
- Fabricante:
- Vishay
Documentación Técnica
Legislación y Conformidad
Datos del Producto
MOSFET de canal N, de 200 V a 250 V, Vishay Semiconductor
Transistores MOSFET, Vishay Semiconductor
Especificaciones
Atributo | Valor |
---|---|
Tipo de Canal | N |
Corriente Máxima Continua de Drenaje | 65 A |
Tensión Máxima Drenador-Fuente | 200 V |
Tipo de Encapsulado | D2PAK (TO-263) |
Tipo de Montaje | Montaje superficial |
Conteo de Pines | 3 |
Resistencia Máxima Drenador-Fuente | 84 mΩ |
Modo de Canal | Mejora |
Tensión de umbral de puerta mínima | 2V |
Disipación de Potencia Máxima | 375 W |
Configuración de transistor | Simple |
Tensión Máxima Puerta-Fuente | -20 V, +20 V |
Carga Típica de Puerta @ Vgs | 90 nC a 10 V |
Longitud | 10.41mm |
Temperatura Máxima de Funcionamiento | +175 °C |
Número de Elementos por Chip | 1 |
Ancho | 9.652mm |
Material del transistor | Si |
Altura | 4.826mm |
Temperatura de Funcionamiento Mínima | -55 °C |
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