MOSFET de potencia DiodesZetex, N-Canal DMN601DMK-7, VDSS 60 V, ID 580 mA, SM, Mejora de 6 pines, 2, config. Aislado
- Código RS:
- 823-2943
- Nº ref. fabric.:
- DMN601DMK-7
- Fabricante:
- DiodesZetex
Subtotal (1 paquete de 20 unidades)*
7,66 €
(exc. IVA)
9,26 €
(inc.IVA)
Entrega GRATUITA para pedidos superiores a 95,00 €
- 2980 Envío desde el 14 de julio de 2027
Unidad(es) | Por unidad | Por Paquete* |
|---|---|---|
| 20 + | 0,383 € | 7,66 € |
*precio indicativo
- Código RS:
- 823-2943
- Nº ref. fabric.:
- DMN601DMK-7
- Fabricante:
- DiodesZetex
Seleccionar todo | Atributo | Valor |
|---|---|---|
| Marca | DiodesZetex | |
| Tipo de producto | MOSFET de potencia | |
| Tipo de canal | N | |
| Corriente continua máxima de drenaje ld | 580mA | |
| Tensión máxima Drenador-Fuente Vds | 60V | |
| Encapsulado | SM | |
| Tipo de montaje | Superficie | |
| Número de pines | 6 | |
| Resistencia máxima Drenador-Fuente Rds | 4Ω | |
| Modo de canal | Mejora | |
| Tensión máxima de la fuente de la puerta | -20V, +20V | |
| Carga típica de puerta Qg @ Vgs | 304nC | |
| Tensión directa Vf | 800mV | |
| Disipación de potencia máxima Pd | 980mW | |
| Temperatura de Funcionamiento Mínima | -55°C | |
| Configuración de transistor | Aislado | |
| Temperatura de funcionamiento máxima | +150°C | |
| Longitud | 3.1mm | |
| Certificaciones y estándares | J-STD-020, MIL-STD-202, RoHS, AEC-Q101, UL 94V-0 | |
| Anchura | 1.7mm | |
| Altura | 1.3mm | |
| Número de elementos por chip | 2 | |
| Estándar de automoción | AEC-Q200, AEC-Q101, AEC-Q100 | |
| Seleccionar todo | ||
|---|---|---|
Marca DiodesZetex | ||
Tipo de producto MOSFET de potencia | ||
Tipo de canal N | ||
Corriente continua máxima de drenaje ld 580mA | ||
Tensión máxima Drenador-Fuente Vds 60V | ||
Encapsulado SM | ||
Tipo de montaje Superficie | ||
Número de pines 6 | ||
Resistencia máxima Drenador-Fuente Rds 4Ω | ||
Modo de canal Mejora | ||
Tensión máxima de la fuente de la puerta -20V, +20V | ||
Carga típica de puerta Qg @ Vgs 304nC | ||
Tensión directa Vf 800mV | ||
Disipación de potencia máxima Pd 980mW | ||
Temperatura de Funcionamiento Mínima -55°C | ||
Configuración de transistor Aislado | ||
Temperatura de funcionamiento máxima +150°C | ||
Longitud 3.1mm | ||
Certificaciones y estándares J-STD-020, MIL-STD-202, RoHS, AEC-Q101, UL 94V-0 | ||
Anchura 1.7mm | ||
Altura 1.3mm | ||
Número de elementos por chip 2 | ||
Estándar de automoción AEC-Q200, AEC-Q101, AEC-Q100 | ||
MOSFET de canal N doble, Diodes Inc.
Transistores MOSFET, Diodes Inc.
Enlaces relacionados
- MOSFET de potencia DiodesZetex VDSS 60 V SM 2, config. Aislado
- MOSFET DiodesZetex VDSS 20 V SM 2, config. Aislado
- MOSFET DiodesZetex VDSS 20 V SM 2, config. Aislado
- Pequeña señal DiodesZetex VDSS 20 V SM 2, config. Aislado
- Pequeña señal DiodesZetex VDSS 20 V SM 2, config. Aislado
- MOSFET de potencia DiodesZetex VDSS 60 V SOIC 2, config. Aislado
- MOSFET de potencia DiodesZetex VDSS 60 V SOIC 2, config. Aislado
- MOSFET de potencia DiodesZetex VDSS 60 V SOIC 2, config. Aislado