MOSFET de potencia DiodesZetex, Tipo N-Canal, VDSS 60 V, ID 4.4 A, SOIC, Mejora de 8 pines, 2, config. Aislado

Marca

DiodesZetex

Tipo de canal

Tipo N

Tipo de producto

MOSFET de potencia

Corriente continua máxima de drenaje ld

4.4A

Tensión máxima Drenador-Fuente Vds

60V

Encapsulado

SOIC

Tipo de montaje

Superficie

Número de pines

8

Resistencia máxima Drenador-Fuente Rds

97mΩ

Modo de canal

Mejora

Temperatura de Funcionamiento Mínima

150°C

Disipación de potencia máxima Pd

2.14W

Tensión directa Vf

0.89V

Tensión máxima de la fuente de la puerta

20 V

Carga típica de puerta Qg @ Vgs

5.4nC

Temperatura de funcionamiento máxima

-55°C

Configuración de transistor

Aislado

Longitud

5mm

Certificaciones y estándares

MIL-STD-202, AEC-Q101, UL 94V-0, RoHS, J-STD-020

Anchura

4 mm

Altura

1.5mm

Número de elementos por chip

2

Estándar de automoción

AEC-Q101