MOSFET de potencia DiodesZetex, N-Canal, VDSS 60 V, ID 4.4 A, SOIC, Mejora de 8 pines, 2, config. Aislado

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Código RS:
169-7465
Nº ref. fabric.:
DMN6066SSD-13
Fabricante:
DiodesZetex
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Marca

DiodesZetex

Tipo de producto

MOSFET de potencia

Tipo de canal

N

Corriente continua máxima de drenaje ld

4.4A

Tensión máxima Drenador-Fuente Vds

60V

Encapsulado

SOIC

Tipo de montaje

Superficie

Número de pines

8

Resistencia máxima Drenador-Fuente Rds

97mΩ

Modo de canal

Mejora

Tensión directa Vf

0.89V

Disipación de potencia máxima Pd

2.14W

Tensión máxima de la fuente de la puerta

20V

Carga típica de puerta Qg @ Vgs

5.4nC

Temperatura de Funcionamiento Mínima

-55°C

Configuración de transistor

Aislado

Temperatura de funcionamiento máxima

150°C

Certificaciones y estándares

MIL-STD-202, AEC-Q101, UL 94V-0, RoHS, J-STD-020

Anchura

4mm

Longitud

5mm

Altura

1.5mm

Número de elementos por chip

2

Estándar de automoción

AEC-Q101

COO (País de Origen):
CN

MOSFET de canal N doble, Diodes Inc.


Transistores MOSFET, Diodes Inc.


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