MOSFET de potencia DiodesZetex, Tipo N-Canal, VDSS 60 V, ID 4.1 A, SOIC, Mejora de 8 pines, 2, config. Aislado

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Código RS:
169-7498
Nº ref. fabric.:
DMN6070SSD-13
Fabricante:
DiodesZetex
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Marca

DiodesZetex

Tipo de canal

Tipo N

Tipo de producto

MOSFET de potencia

Corriente continua máxima de drenaje ld

4.1A

Tensión máxima Drenador-Fuente Vds

60V

Encapsulado

SOIC

Tipo de montaje

Superficie

Número de pines

8

Resistencia máxima Drenador-Fuente Rds

100mΩ

Modo de canal

Mejora

Disipación de potencia máxima Pd

1.5W

Tensión máxima de la fuente de la puerta

20 V

Temperatura de Funcionamiento Mínima

150°C

Carga típica de puerta Qg @ Vgs

5.6nC

Tensión directa Vf

0.75V

Configuración de transistor

Aislado

Temperatura de funcionamiento máxima

-55°C

Longitud

4.95mm

Altura

1.5mm

Anchura

3.95 mm

Certificaciones y estándares

J-STD-020, AEC-Q101, RoHS, UL 94V-0, MIL-STD-202

Número de elementos por chip

2

Estándar de automoción

AEC-Q101

COO (País de Origen):
CN

MOSFET de canal N doble, Diodes Inc.


Transistores MOSFET, Diodes Inc.


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