MOSFET de potencia DiodesZetex, Tipo N-Canal DMN6070SSD-13, VDSS 60 V, ID 4.1 A, SOIC, Mejora de 8 pines, 2, config.

Marca

DiodesZetex

Tipo de producto

MOSFET de potencia

Tipo de canal

Tipo N

Corriente continua máxima de drenaje ld

4.1A

Tensión máxima Drenador-Fuente Vds

60V

Encapsulado

SOIC

Tipo de montaje

Superficie

Número de pines

8

Resistencia máxima Drenador-Fuente Rds

100mΩ

Modo de canal

Mejora

Tensión directa Vf

0.75V

Carga típica de puerta Qg @ Vgs

5.6nC

Disipación de potencia máxima Pd

1.5W

Temperatura de Funcionamiento Mínima

150°C

Tensión máxima de la fuente de la puerta

20 V

Configuración de transistor

Aislado

Temperatura de funcionamiento máxima

-55°C

Certificaciones y estándares

J-STD-020, AEC-Q101, RoHS, UL 94V-0, MIL-STD-202

Anchura

3.95 mm

Altura

1.5mm

Longitud

4.95mm

Número de elementos por chip

2

Estándar de automoción

AEC-Q101