MOSFET de potencia DiodesZetex, Tipo N-Canal DMN6066SSD-13, VDSS 60 V, ID 4.4 A, SOIC, Mejora de 8 pines, 2, config.

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Código RS:
823-4012
Nº ref. fabric.:
DMN6066SSD-13
Fabricante:
DiodesZetex
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Marca

DiodesZetex

Tipo de canal

Tipo N

Tipo de producto

MOSFET de potencia

Corriente continua máxima de drenaje ld

4.4A

Tensión máxima Drenador-Fuente Vds

60V

Encapsulado

SOIC

Tipo de montaje

Superficie

Número de pines

8

Resistencia máxima Drenador-Fuente Rds

97mΩ

Modo de canal

Mejora

Temperatura de Funcionamiento Mínima

150°C

Disipación de potencia máxima Pd

2.14W

Carga típica de puerta Qg @ Vgs

5.4nC

Tensión máxima de la fuente de la puerta

20 V

Tensión directa Vf

0.89V

Temperatura de funcionamiento máxima

-55°C

Configuración de transistor

Aislado

Anchura

4 mm

Longitud

5mm

Altura

1.5mm

Certificaciones y estándares

MIL-STD-202, AEC-Q101, UL 94V-0, RoHS, J-STD-020

Número de elementos por chip

2

Estándar de automoción

AEC-Q101

MOSFET de canal N doble, Diodes Inc.


Transistores MOSFET, Diodes Inc.


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