MOSFET de potencia DiodesZetex, Tipo N-Canal DMN2014LHAB-7, VDSS 20 V, ID 9.3 A, UDFN, Mejora de 7 pines, 2, config.

Subtotal (1 paquete de 50 unidades)*

15,00 €

(exc. IVA)

18,00 €

(inc.IVA)

Add to Basket
Selecciona o escribe la cantidad
Disponible
  • Disponible(s) 2950 unidad(es) para enviar desde otro centro de distribución
¿Necesitas comprar más? Introduce la nueva cantidad y clica en "Consultar fechas de entrega"
Unidad(es)
Por unidad
Por Paquete*
50 +0,30 €15,00 €

*precio indicativo

Opciones de empaquetado:
Código RS:
827-0462
Nº ref. fabric.:
DMN2014LHAB-7
Fabricante:
DiodesZetex
Encuentra productos similares seleccionando uno o varios atributos.
Seleccionar todo

Tipo de canal

Tipo N

Tipo de producto

MOSFET de potencia

Corriente continua máxima de drenaje ld

9.3A

Tensión máxima Drenador-Fuente Vds

20V

Encapsulado

UDFN

Tipo de montaje

Superficie

Número de pines

7

Resistencia máxima Drenador-Fuente Rds

28mΩ

Modo de canal

Mejora

Temperatura de Funcionamiento Mínima

150°C

Carga típica de puerta Qg @ Vgs

0.5nC

Disipación de potencia máxima Pd

1.7W

Tensión directa Vf

1.2V

Configuración de transistor

Aislado

Temperatura de funcionamiento máxima

-55°C

Certificaciones y estándares

AEC-Q101, UL 94V-0, RoHS, J-STD-020, MIL-STD-202

Altura

0.6mm

Longitud

3.05mm

Número de elementos por chip

2

Estándar de automoción

AEC-Q101

MOSFET de canal N doble, Diodes Inc.


Transistores MOSFET, Diodes Inc.


Enlaces relacionados

Mantente al día de nuestras novedades y ofertas

Introduce tu dirección de correo

La información personal que nos proporciones al suscribirte se procesará de acuerdo con nuestra política de privacidad.