MOSFET, Tipo N-Canal Infineon IRLR3636TRPBF, VDSS 60 V, ID 99 A, Mejora, TO-252 de 3 pines
- Código RS:
- 830-3372
- Nº ref. fabric.:
- IRLR3636TRPBF
- Fabricante:
- Infineon
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Unidad(es) | Por unidad | Por Paquete* |
|---|---|---|
| 10 - 40 | 1,323 € | 13,23 € |
| 50 - 90 | 1,072 € | 10,72 € |
| 100 - 240 | 1,005 € | 10,05 € |
| 250 - 490 | 0,926 € | 9,26 € |
| 500 + | 0,861 € | 8,61 € |
*precio indicativo
- Código RS:
- 830-3372
- Nº ref. fabric.:
- IRLR3636TRPBF
- Fabricante:
- Infineon
Especificaciones
Documentación Técnica
Legislación y Conformidad
Datos del Producto
Encuentra productos similares seleccionando uno o varios atributos.
Seleccionar todo | Atributo | Valor |
|---|---|---|
| Marca | Infineon | |
| Tipo de canal | Tipo N | |
| Tipo de producto | MOSFET | |
| Corriente continua máxima de drenaje ld | 99A | |
| Tensión máxima Drenador-Fuente Vds | 60V | |
| Serie | HEXFET | |
| Encapsulado | TO-252 | |
| Tipo de montaje | Superficie | |
| Número de pines | 3 | |
| Resistencia máxima Drenador-Fuente Rds | 8.3mΩ | |
| Modo de canal | Mejora | |
| Carga típica de puerta Qg @ Vgs | 49nC | |
| Tensión máxima de la fuente de la puerta | 16 V | |
| Tensión directa Vf | 1.3V | |
| Disipación de potencia máxima Pd | 143W | |
| Temperatura de Funcionamiento Mínima | -55°C | |
| Temperatura de funcionamiento máxima | 175°C | |
| Certificaciones y estándares | No | |
| Anchura | 6.22 mm | |
| Altura | 2.39mm | |
| Longitud | 6.73mm | |
| Estándar de automoción | No | |
| Seleccionar todo | ||
|---|---|---|
Marca Infineon | ||
Tipo de canal Tipo N | ||
Tipo de producto MOSFET | ||
Corriente continua máxima de drenaje ld 99A | ||
Tensión máxima Drenador-Fuente Vds 60V | ||
Serie HEXFET | ||
Encapsulado TO-252 | ||
Tipo de montaje Superficie | ||
Número de pines 3 | ||
Resistencia máxima Drenador-Fuente Rds 8.3mΩ | ||
Modo de canal Mejora | ||
Carga típica de puerta Qg @ Vgs 49nC | ||
Tensión máxima de la fuente de la puerta 16 V | ||
Tensión directa Vf 1.3V | ||
Disipación de potencia máxima Pd 143W | ||
Temperatura de Funcionamiento Mínima -55°C | ||
Temperatura de funcionamiento máxima 175°C | ||
Certificaciones y estándares No | ||
Anchura 6.22 mm | ||
Altura 2.39mm | ||
Longitud 6.73mm | ||
Estándar de automoción No | ||
- COO (País de Origen):
- CN
MOSFET de potencia de canal N, 60 V a 80 V, Infineon
La gama de MOSFET de potencia HEXFET® discretos de Infineon incluye dispositivos de canal N de montaje en superficie y encapsulados de conexión. Y los factores de forma se pueden adaptar a casi cualquier disposición de placa y diseño térmico. La gama completa de referencia reduce las pérdidas en unidades de resistencia, lo que permite a los diseñadores proporcionar una eficiencia óptima del sistema.
Transistores MOSFET, Infineon
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