MOSFET, Tipo N-Canal Infineon, VDSS 30 V, ID 160 A, Mejora, TO-252 de 3 pines
- Código RS:
- 830-3394
- Nº ref. fabric.:
- IRLR8743TRPBF
- Fabricante:
- Infineon
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- Código RS:
- 830-3394
- Nº ref. fabric.:
- IRLR8743TRPBF
- Fabricante:
- Infineon
Especificaciones
Documentación Técnica
Legislación y Conformidad
Datos del Producto
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Seleccionar todo | Atributo | Valor |
|---|---|---|
| Tipo de producto | MOSFET | |
| Tipo de canal | Tipo N | |
| Corriente continua máxima de drenaje ld | 160A | |
| Tensión máxima Drenador-Fuente Vds | 30V | |
| Encapsulado | TO-252 | |
| Serie | HEXFET | |
| Tipo de montaje | Superficie | |
| Número de pines | 3 | |
| Resistencia máxima Drenador-Fuente Rds | 3.9mΩ | |
| Modo de canal | Mejora | |
| Tensión directa Vf | 1V | |
| Carga típica de puerta Qg @ Vgs | 39nC | |
| Temperatura de Funcionamiento Mínima | -55°C | |
| Disipación de potencia máxima Pd | 135W | |
| Temperatura de funcionamiento máxima | 175°C | |
| Longitud | 6.73mm | |
| Certificaciones y estándares | No | |
| Altura | 2.39mm | |
| Estándar de automoción | No | |
| Seleccionar todo | ||
|---|---|---|
Tipo de producto MOSFET | ||
Tipo de canal Tipo N | ||
Corriente continua máxima de drenaje ld 160A | ||
Tensión máxima Drenador-Fuente Vds 30V | ||
Encapsulado TO-252 | ||
Serie HEXFET | ||
Tipo de montaje Superficie | ||
Número de pines 3 | ||
Resistencia máxima Drenador-Fuente Rds 3.9mΩ | ||
Modo de canal Mejora | ||
Tensión directa Vf 1V | ||
Carga típica de puerta Qg @ Vgs 39nC | ||
Temperatura de Funcionamiento Mínima -55°C | ||
Disipación de potencia máxima Pd 135W | ||
Temperatura de funcionamiento máxima 175°C | ||
Longitud 6.73mm | ||
Certificaciones y estándares No | ||
Altura 2.39mm | ||
Estándar de automoción No | ||
MOSFET Infineon serie HEXFET, corriente de drenaje continua máxima de 160 A, disipación de potencia máxima de 135 W - IRLR8743TRPBF
Este MOSFET está diseñado para aplicaciones de alto rendimiento en los sectores de la automatización y la electrónica. Utilizando la tecnología HEXFET, consigue una eficiencia y fiabilidad significativas en la gestión de la energía. Su capacidad para manejar altas corrientes de drenaje continuas lo hace adecuado para una gran variedad de entornos industriales.
Características y ventajas
• Maneja una corriente de drenaje continua máxima de 160 A para un rendimiento sólido
• Ofrece una tensión de drenaje-fuente máxima de 30 V para un funcionamiento fiable
• El bajo valor de Rds(on) de 3,9mΩ minimiza las pérdidas de potencia
• Diseñado como transistor de modo de mejora para aumentar la eficiencia de conmutación
• El montaje en superficie facilita la integración en el diseño de circuitos
• Calificación para altas temperaturas de funcionamiento de hasta +175°C para una mejor gestión térmica
Aplicaciones
• Convertidores buck síncronos de alta frecuencia en fuentes de alimentación para ordenadores
• Convertidores CC-CC aislados en sistemas de telecomunicaciones
• Sistemas industriales de gestión de la energía y automatización
• Dispositivos que requieren tensiones de umbral de puerta bajas para una conmutación eficaz
• Varios dispositivos electrónicos que requieren una solución de alimentación compacta
¿Cuál es el impacto de las altas temperaturas en su rendimiento?
El funcionamiento a temperaturas elevadas mejora su rendimiento térmico, lo que le permite gestionar eficazmente altos niveles de potencia y garantizar la estabilidad en condiciones difíciles.
¿Cómo mejora esta tecnología la eficiencia de los dispositivos electrónicos?
La tecnología HEXFET reduce significativamente las pérdidas de potencia gracias a su baja Rds(on), lo que permite que los dispositivos funcionen eficientemente con cargas elevadas y generen menos calor.
¿Puede utilizarse junto con otros semiconductores?
Sí, puede integrarse con otros componentes semiconductores en circuitos de señal mixta, mejorando la funcionalidad y el rendimiento general del circuito.
¿Qué importancia tiene su diseño de montaje superficial?
El diseño de montaje en superficie permite un montaje compacto en placas de circuito impreso, mejora la gestión térmica y optimiza el espacio en aplicaciones electrónicas.
MOSFET de potencia de canal N de 30V, Infineon
La gama de MOSFET de potencia HEXFET® discretos de Infineon incluye dispositivos de canal N de montaje en superficie y encapsulados de conexión. Y los factores de forma se pueden adaptar a casi cualquier disposición de placa y diseño térmico. La gama completa de referencia reduce las pérdidas en unidades de resistencia, lo que permite a los diseñadores proporcionar una eficiencia óptima del sistema.
Transistores MOSFET, Infineon
Infineon ofrece una amplia y completa gama de dispositivos MOSFET entre los que se incluyen las familias CoolMOS, OptiMOS y StrongIRFET. Ofrecen el mejor rendimiento de su clase y más eficacia, densidad de potencia y rentabilidad. Los diseños que requieren una alta calidad y una mayor protección se benefician los MOSFET para automoción compatibles con los estándares de la industria AEC-Q101.