MOSFET, Tipo N-Canal Infineon IRF520NSTRLPBF, VDSS 100 V, ID 9.7 A, Mejora, TO-263 de 3 pines

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Código RS:
831-2821
Nº ref. fabric.:
IRF520NSTRLPBF
Fabricante:
Infineon
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Marca

Infineon

Tipo de canal

Tipo N

Tipo de producto

MOSFET

Corriente continua máxima de drenaje ld

9.7A

Tensión máxima Drenador-Fuente Vds

100V

Serie

HEXFET

Encapsulado

TO-263

Tipo de montaje

Superficie

Número de pines

3

Resistencia máxima Drenador-Fuente Rds

200mΩ

Modo de canal

Mejora

Carga típica de puerta Qg @ Vgs

25nC

Temperatura de Funcionamiento Mínima

-55°C

Tensión máxima de la fuente de la puerta

±20 V

Tensión directa Vf

1.3V

Disipación de potencia máxima Pd

48W

Temperatura de funcionamiento máxima

175°C

Longitud

10.67mm

Anchura

9.65 mm

Certificaciones y estándares

No

Altura

4.83mm

Estándar de automoción

No

COO (País de Origen):
CN

MOSFET Infineon serie HEXFET, corriente de drenaje continua máxima de 9,7 A, disipación de potencia máxima de 48 W - IRF520NSTRLPBF


Este MOSFET está diseñado para una conmutación y amplificación eficientes en diversas aplicaciones. Su gran capacidad de manejo de potencia ofrece versatilidad en los campos de la automatización y la electrónica. Con una avanzada tecnología de procesos, este dispositivo garantiza el rendimiento y la fiabilidad, lo que lo hace adecuado para entornos operativos. Las características de este MOSFET mejoran notablemente el rendimiento del circuito.

Características y ventajas


• La baja resistencia a la conexión contribuye a mejorar la eficiencia energética

• Corriente de drenaje de 9,7 A para un rendimiento sólido

• La tensión de drenaje-fuente máxima de 100 V proporciona flexibilidad de aplicación

• El modo de mejora permite una conmutación eficaz

• El diseño de montaje en superficie permite diseños de PCB compactos

Aplicaciones


• Empleado en sistemas de gestión de potencia para la conversión de energía

• Adecuado para controles de automatización que requieren una conmutación rápida

• Aplicado en circuitos de control de motores de precisión

• Utilizados en sistemas de energía renovable como los inversores solares

• Se utiliza en amplificadores de audio para mejorar la calidad del sonido

¿Qué tipo de montaje es adecuado para este dispositivo?


Este componente presenta un diseño de montaje en superficie, lo que lo hace compatible con los procesos automatizados de montaje de placas de circuito impreso e ideal para diseños de alta densidad.

¿Puede soportar altas temperaturas durante su funcionamiento?


Sí, tiene una temperatura máxima de funcionamiento de +175 °C, lo que lo hace apto para entornos difíciles sin comprometer su rendimiento.

¿Es adecuado para aplicaciones que requieren una conmutación rápida?


Sí, su rápida velocidad de conmutación mejora el rendimiento en aplicaciones como convertidores PWM y CC-CC.

¿Cuál es la característica de inductancia de este dispositivo?


La inductancia de drenaje interna suele ser de 4,5nH, lo que contribuye a su funcionamiento sensible.

¿Cómo se gestiona la disipación de potencia en este MOSFET?


Permite una disipación de potencia máxima de 48 W, lo que garantiza la estabilidad térmica y un rendimiento eficaz en diversos circuitos.

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