MOSFET, Tipo N-Canal Infineon IRF540NSTRRPBF, VDSS 100 V, ID 33 A, Mejora, TO-263 de 3 pines
- Código RS:
- 831-2840
- Nº ref. fabric.:
- IRF540NSTRRPBF
- Fabricante:
- Infineon
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Unidad(es) | Por unidad | Por Paquete* |
|---|---|---|
| 10 - 90 | 1,392 € | 13,92 € |
| 100 - 240 | 1,322 € | 13,22 € |
| 250 - 490 | 1,211 € | 12,11 € |
| 500 - 990 | 1,044 € | 10,44 € |
| 1000 + | 0,877 € | 8,77 € |
*precio indicativo
- Código RS:
- 831-2840
- Nº ref. fabric.:
- IRF540NSTRRPBF
- Fabricante:
- Infineon
Especificaciones
Documentación Técnica
Legislación y Conformidad
Datos del Producto
Encuentra productos similares seleccionando uno o varios atributos.
Seleccionar todo | Atributo | Valor |
|---|---|---|
| Marca | Infineon | |
| Tipo de producto | MOSFET | |
| Tipo de canal | Tipo N | |
| Corriente continua máxima de drenaje ld | 33A | |
| Tensión máxima Drenador-Fuente Vds | 100V | |
| Encapsulado | TO-263 | |
| Serie | HEXFET | |
| Tipo de montaje | Superficie | |
| Número de pines | 3 | |
| Resistencia máxima Drenador-Fuente Rds | 44mΩ | |
| Modo de canal | Mejora | |
| Tensión directa Vf | 1.2V | |
| Temperatura de Funcionamiento Mínima | -55°C | |
| Tensión máxima de la fuente de la puerta | 20 V | |
| Disipación de potencia máxima Pd | 130W | |
| Carga típica de puerta Qg @ Vgs | 71nC | |
| Temperatura de funcionamiento máxima | 175°C | |
| Certificaciones y estándares | No | |
| Altura | 4.83mm | |
| Longitud | 10.67mm | |
| Anchura | 9.65 mm | |
| Estándar de automoción | No | |
| Seleccionar todo | ||
|---|---|---|
Marca Infineon | ||
Tipo de producto MOSFET | ||
Tipo de canal Tipo N | ||
Corriente continua máxima de drenaje ld 33A | ||
Tensión máxima Drenador-Fuente Vds 100V | ||
Encapsulado TO-263 | ||
Serie HEXFET | ||
Tipo de montaje Superficie | ||
Número de pines 3 | ||
Resistencia máxima Drenador-Fuente Rds 44mΩ | ||
Modo de canal Mejora | ||
Tensión directa Vf 1.2V | ||
Temperatura de Funcionamiento Mínima -55°C | ||
Tensión máxima de la fuente de la puerta 20 V | ||
Disipación de potencia máxima Pd 130W | ||
Carga típica de puerta Qg @ Vgs 71nC | ||
Temperatura de funcionamiento máxima 175°C | ||
Certificaciones y estándares No | ||
Altura 4.83mm | ||
Longitud 10.67mm | ||
Anchura 9.65 mm | ||
Estándar de automoción No | ||
MOSFET Infineon serie HEXFET, corriente de drenaje continua máxima de 33 A, disipación de potencia máxima de 130 W - IRF540NSTRRPBF
Este MOSFET de potencia de canal N está diseñado específicamente para aplicaciones de alta eficiencia, ofreciendo un rendimiento significativo en diversos sistemas electrónicos. Destaca en entornos de alta corriente, donde la fiabilidad y la baja resistencia son esenciales. Sus mejoras lo hacen especialmente útil en industrias centradas en la automatización y la gestión de la energía.
Características y ventajas
• El bajo RDS(on) minimiza las pérdidas de potencia durante el funcionamiento
• La capacidad de corriente de drenaje continua de 33 A admite diversas aplicaciones
• La amplia gama de tensiones de la fuente de puerta proporciona flexibilidad de diseño
• Soporta altas temperaturas de hasta 175°C
• La conmutación rápida mejora la eficiencia global del circuito
• El diseño de montaje en superficie D2PAK facilita la integración en PCB
Aplicaciones
• Se utiliza en circuitos de gestión de potencia para automatización
• Comúnmente implementado en convertidores DC-DC para la eficiencia energética
• Apto para accionamiento por motor que requieren una corriente elevada
• Se encuentra en módulos de alimentación para electrónica industrial
• Apropiado para automoción gracias a su sólido rendimiento térmico
¿Qué importancia tiene un RDS(on) bajo en funcionamiento?
Un RDS(on) bajo reduce la generación de calor y mejora la eficiencia energética, lo que resulta crucial para prolongar la vida útil de los componentes y reducir los gastos de explotación.
¿Cómo se comporta el MOSFET a altas temperaturas?
Funciona de forma fiable hasta 175 °C, garantizando la estabilidad en condiciones extremas y satisfaciendo las demandas de rendimiento sin fallos.
¿Puede este dispositivo manejar corrientes pulsadas y cuáles son sus especificaciones?
Soporta corrientes de drenaje pulsadas de hasta 110 A, gestionando eficazmente ráfagas cortas de alta potencia, lo que lo hace ideal para aplicaciones con condiciones de carga fluctuantes.
¿Qué implicaciones tiene la tensión umbral de puerta especificada?
El rango de tensión umbral de puerta de 2V a 4V indica la tensión necesaria para iniciar la conducción, proporcionando información esencial para la integración del diseño en circuitos de control.
¿Cómo afecta el paquete D2PAK a su usabilidad?
El diseño del encapsulado D2PAK favorece la disipación eficaz del calor y simplifica el montaje en superficie, por lo que resulta adecuado para aplicaciones de alta potencia en placas de circuito impreso compactas.