- Código RS:
- 879-3283
- Nº ref. fabric.:
- VP2106N3-G
- Fabricante:
- Microchip
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(inc.IVA)
unidades | Por unidad | Por Pack* |
25 - 75 | 0,555 € | 13,875 € |
100 + | 0,503 € | 12,575 € |
*precio indicativo |
Opciones de empaquetado:
- Código RS:
- 879-3283
- Nº ref. fabric.:
- VP2106N3-G
- Fabricante:
- Microchip
Documentación Técnica
Legislación y Conformidad
Datos del Producto
Transistores MOSFET de modo de mejora de canal P Supertex
La gama Supertex de transistores DMOS FET de modo de mejora (normalmente apagado) de canal P de Microchip es adecuada para una amplia gama de aplicaciones de conmutación y amplificación que requieren baja tensión de umbral, alta tensión de ruptura, alta impedancia de entrada, baja capacitancia de entrada y velocidades de conmutación rápidas.
Transistores MOSFET, Microchip
Especificaciones
Atributo | Valor |
---|---|
Tipo de Canal | P |
Corriente Máxima Continua de Drenaje | 250 mA |
Tensión Máxima Drenador-Fuente | 60 V |
Tipo de Encapsulado | TO-92 |
Tipo de Montaje | Montaje en orificio pasante |
Conteo de Pines | 3 |
Resistencia Máxima Drenador-Fuente | 15 Ω |
Modo de Canal | Mejora |
Tensión de umbral de puerta máxima | 3.5V |
Disipación de Potencia Máxima | 1 W |
Configuración de transistor | Simple |
Tensión Máxima Puerta-Fuente | -20 V, +20 V |
Ancho | 4.06mm |
Temperatura Máxima de Funcionamiento | +150 °C |
Longitud | 5.08mm |
Número de Elementos por Chip | 1 |
Material del transistor | Si |
Tensión de diodo directa | 2V |
Temperatura de Funcionamiento Mínima | -55 °C |
Altura | 5.33mm |