MOSFET Microchip VP2106N3-G, VDSS 60 V, ID 250 mA, TO-92 de 3 pines, , config. Simple
- Código RS:
- 879-3283
- Nº ref. fabric.:
- VP2106N3-G
- Fabricante:
- Microchip
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Precio unitario (Suministrado en múltiplos de 25)
0,555 €
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0,672 €
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| unidades | Por unidad | Por Pack* |
| 25 - 75 | 0,555 € | 13,875 € |
| 100 + | 0,503 € | 12,575 € |
| *precio indicativo | ||
Opciones de empaquetado:
- Código RS:
- 879-3283
- Nº ref. fabric.:
- VP2106N3-G
- Fabricante:
- Microchip
Documentación Técnica
Legislación y Conformidad
Datos del Producto
Transistores MOSFET de modo de mejora de canal P Supertex
La gama Supertex de transistores DMOS FET de modo de mejora (normalmente apagado) de canal P de Microchip es adecuada para una amplia gama de aplicaciones de conmutación y amplificación que requieren baja tensión de umbral, alta tensión de ruptura, alta impedancia de entrada, baja capacitancia de entrada y velocidades de conmutación rápidas.
Transistores MOSFET, Microchip
Especificaciones
| Atributo | Valor |
| Tipo de Canal | P |
| Corriente Máxima Continua de Drenaje | 250 mA |
| Tensión Máxima Drenador-Fuente | 60 V |
| Tipo de Encapsulado | TO-92 |
| Tipo de Montaje | Montaje en orificio pasante |
| Conteo de Pines | 3 |
| Resistencia Máxima Drenador-Fuente | 15 Ω |
| Modo de Canal | Mejora |
| Tensión de umbral de puerta máxima | 3.5V |
| Disipación de Potencia Máxima | 1 W |
| Configuración de transistor | Simple |
| Tensión Máxima Puerta-Fuente | -20 V, +20 V |
| Material del transistor | Si |
| Ancho | 4.06mm |
| Número de Elementos por Chip | 1 |
| Longitud | 5.08mm |
| Temperatura Máxima de Funcionamiento | +150 °C |
| Altura | 5.33mm |
| Temperatura de Funcionamiento Mínima | -55 °C |
| Tensión de diodo directa | 2V |