MOSFET DiodesZetex DMG4511SK4-13, VDSS 35 V, ID 9,3 A, 9,6 A, DPAK (TO-252) de 3 pines, 2elementos, config. Aislado
- Código RS:
- 885-5482
- Nº ref. fabric.:
- DMG4511SK4-13
- Fabricante:
- DiodesZetex
Temporalmente fuera de stock. El producto se entregará cuando vuelva a estar disponible.
Precio unitario (Suministrado en múltiplos de 20)
0,665 €
(exc. IVA)
0,805 €
(inc.IVA)
Unidades | Por unidad | Por Pack* |
---|---|---|
20 - 80 | 0,665 € | 13,30 € |
100 - 480 | 0,428 € | 8,56 € |
500 - 980 | 0,385 € | 7,70 € |
1000 + | 0,344 € | 6,88 € |
*precio indicativo
- Código RS:
- 885-5482
- Nº ref. fabric.:
- DMG4511SK4-13
- Fabricante:
- DiodesZetex
Documentación Técnica
Legislación y Conformidad
Datos del Producto
MOSFET de canal N/P doble, Diodes Inc.
Transistores MOSFET, Diodes Inc.
Especificaciones
Atributo | Valor |
---|---|
Tipo de Canal | N, P |
Corriente Máxima Continua de Drenaje | 9,3 A, 9,6 A |
Tensión Máxima Drenador-Fuente | 35 V |
Tipo de Encapsulado | DPAK (TO-252) |
Tipo de Montaje | Montaje superficial |
Conteo de Pines | 3 |
Resistencia Máxima Drenador-Fuente | 65 mΩ |
Modo de Canal | Mejora |
Tensión de umbral de puerta máxima | 3V |
Disipación de Potencia Máxima | 8,9 W |
Configuración de transistor | Aislado |
Tensión Máxima Puerta-Fuente | -20 V, +20 V |
Carga Típica de Puerta @ Vgs | 18,7 nC a 10 V, 19,2 nC a 10 V |
Material del transistor | Si |
Longitud | 6.7mm |
Número de Elementos por Chip | 2 |
Temperatura Máxima de Funcionamiento | +150 °C |
Ancho | 6.2mm |
Tensión de diodo directa | 1.2V |
Temperatura de Funcionamiento Mínima | -55 °C |
Altura | 2.39mm |
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