MOSFET DiodesZetex, Tipo N, Tipo P-Canal, VDSS 35 V, ID 9.6 A, TO-252, Mejora de 3 pines, 2, config. Aislado

Subtotal (1 bobina de 2500 unidades)*

797,50 €

(exc. IVA)

965,00 €

(inc.IVA)

Add to Basket
Selecciona o escribe la cantidad
Disponible
  • Disponible(s) 5000 unidad(es) para enviar desde otro centro de distribución
¿Necesitas comprar más? Introduce la nueva cantidad y clica en "Consultar fechas de entrega"
Unidad(es)
Por unidad
Por Bobina*
2500 +0,319 €797,50 €

*precio indicativo

Código RS:
165-8875
Nº ref. fabric.:
DMG4511SK4-13
Fabricante:
DiodesZetex
Encuentra productos similares seleccionando uno o varios atributos.
Seleccionar todo

Marca

DiodesZetex

Tipo de canal

Tipo N, Tipo P

Tipo de producto

MOSFET

Corriente continua máxima de drenaje ld

9.6A

Tensión máxima Drenador-Fuente Vds

35V

Encapsulado

TO-252

Tipo de montaje

Superficie

Número de pines

3

Resistencia máxima Drenador-Fuente Rds

65mΩ

Modo de canal

Mejora

Temperatura de Funcionamiento Mínima

-55°C

Carga típica de puerta Qg @ Vgs

8.8nC

Tensión directa Vf

1.2V

Disipación de potencia máxima Pd

8.9W

Configuración de transistor

Aislado

Temperatura de funcionamiento máxima

150°C

Longitud

6.7mm

Altura

2.39mm

Certificaciones y estándares

J-STD-020, MIL-STD-202, UL 94V-0, RoHS, AEC-Q101

Número de elementos por chip

2

Estándar de automoción

AEC-Q101

COO (País de Origen):
CN

MOSFET de canal N/P doble, Diodes Inc.


Transistores MOSFET, Diodes Inc.


Enlaces relacionados

Mantente al día de nuestras novedades y ofertas

Introduce tu dirección de correo

La información personal que nos proporciones al suscribirte se procesará de acuerdo con nuestra política de privacidad.