MOSFET, Tipo N-Canal Infineon IPA60R199CPXKSA1, VDSS 650 V, ID 16 A, Mejora, TO-220 de 3 pines
- Código RS:
- 897-7400
- Nº ref. fabric.:
- IPA60R199CPXKSA1
- Fabricante:
- Infineon
Descuento aplicable por cantidad
Subtotal (1 paquete de 4 unidades)*
14,44 €
(exc. IVA)
17,48 €
(inc.IVA)
Entrega GRATUITA para pedidos superiores a 80,00 €
Disponible
- Disponible(s) 276 unidad(es) más para enviar a partir del 05 de enero de 2026
¿Necesitas comprar más? Introduce la nueva cantidad y clica en "Consultar fechas de entrega"
Unidad(es) | Por unidad | Por Paquete* |
|---|---|---|
| 4 - 16 | 3,61 € | 14,44 € |
| 20 - 36 | 3,43 € | 13,72 € |
| 40 - 96 | 3,285 € | 13,14 € |
| 100 - 196 | 3,07 € | 12,28 € |
| 200 + | 2,888 € | 11,55 € |
*precio indicativo
- Código RS:
- 897-7400
- Nº ref. fabric.:
- IPA60R199CPXKSA1
- Fabricante:
- Infineon
Especificaciones
Documentación Técnica
Legislación y Conformidad
Datos del Producto
Encuentra productos similares seleccionando uno o varios atributos.
Seleccionar todo | Atributo | Valor |
|---|---|---|
| Marca | Infineon | |
| Tipo de canal | Tipo N | |
| Tipo de producto | MOSFET | |
| Corriente continua máxima de drenaje ld | 16A | |
| Tensión máxima Drenador-Fuente Vds | 650V | |
| Serie | CoolMOS CP | |
| Encapsulado | TO-220 | |
| Tipo de montaje | Orificio pasante | |
| Número de pines | 3 | |
| Resistencia máxima Drenador-Fuente Rds | 199mΩ | |
| Modo de canal | Mejora | |
| Tensión máxima de la fuente de la puerta | 30 V | |
| Disipación de potencia máxima Pd | 34W | |
| Temperatura de Funcionamiento Mínima | -55°C | |
| Tensión directa Vf | 1.2V | |
| Carga típica de puerta Qg @ Vgs | 32nC | |
| Temperatura de funcionamiento máxima | 150°C | |
| Anchura | 4.85 mm | |
| Longitud | 10.65mm | |
| Certificaciones y estándares | No | |
| Altura | 16.15mm | |
| Estándar de automoción | No | |
| Seleccionar todo | ||
|---|---|---|
Marca Infineon | ||
Tipo de canal Tipo N | ||
Tipo de producto MOSFET | ||
Corriente continua máxima de drenaje ld 16A | ||
Tensión máxima Drenador-Fuente Vds 650V | ||
Serie CoolMOS CP | ||
Encapsulado TO-220 | ||
Tipo de montaje Orificio pasante | ||
Número de pines 3 | ||
Resistencia máxima Drenador-Fuente Rds 199mΩ | ||
Modo de canal Mejora | ||
Tensión máxima de la fuente de la puerta 30 V | ||
Disipación de potencia máxima Pd 34W | ||
Temperatura de Funcionamiento Mínima -55°C | ||
Tensión directa Vf 1.2V | ||
Carga típica de puerta Qg @ Vgs 32nC | ||
Temperatura de funcionamiento máxima 150°C | ||
Anchura 4.85 mm | ||
Longitud 10.65mm | ||
Certificaciones y estándares No | ||
Altura 16.15mm | ||
Estándar de automoción No | ||
MOSFET de potencia Infineon CoolMOS™CP
Transistores MOSFET, Infineon
Infineon ofrece una amplia y completa gama de dispositivos MOSFET entre los que se incluyen las familias CoolMOS, OptiMOS y StrongIRFET. Ofrecen el mejor rendimiento de su clase y más eficacia, densidad de potencia y rentabilidad. Los diseños que requieren una alta calidad y una mayor protección se benefician los MOSFET para automoción compatibles con los estándares de la industria AEC-Q101.
Enlaces relacionados
- MOSFET VDSS 650 V Mejora, TO-220 de 3 pines
- MOSFET Infineon ID 16 A PG-TO-220 de 3 pines
- MOSFET Infineon IPAN60R210PFD7SXKSA1 ID 16 A PG-TO-220 de 3 pines
- MOSFET Infineon ID 24.3 A, TO-220 de 3 pines
- MOSFET Infineon ID 11 A, TO-220 de 3 pines
- MOSFET Infineon ID 20.7 A, TO-220 de 3 pines
- MOSFET VDSS 650 V Mejora, TO-220 de 3 pines
- MOSFET VDSS 650 V Mejora, TO-220 de 3 pines