MOSFET, Tipo N-Canal Infineon IPW60R099C6FKSA1, VDSS 650 V, ID 38 A, Mejora, TO-247 de 3 pines

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Código RS:
897-7406
Nº ref. fabric.:
IPW60R099C6FKSA1
Fabricante:
Infineon
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Marca

Infineon

Tipo de producto

MOSFET

Tipo de canal

Tipo N

Corriente continua máxima de drenaje ld

38A

Tensión máxima Drenador-Fuente Vds

650V

Encapsulado

TO-247

Serie

CoolMOS C6

Tipo de montaje

Orificio pasante

Número de pines

3

Resistencia máxima Drenador-Fuente Rds

99mΩ

Modo de canal

Mejora

Disipación de potencia máxima Pd

278W

Tensión directa Vf

0.9V

Tensión máxima de la fuente de la puerta

30V

Carga típica de puerta Qg @ Vgs

119nC

Temperatura de Funcionamiento Mínima

-55°C

Temperatura de funcionamiento máxima

150°C

Altura

21.1mm

Anchura

5.21mm

Longitud

16.13mm

Certificaciones y estándares

No

Estándar de automoción

No

MOSFET de potencia Infineon CoolMOS™C6/C7


Transistores MOSFET, Infineon


Infineon ofrece una amplia y completa gama de dispositivos MOSFET entre los que se incluyen las familias CoolMOS, OptiMOS y StrongIRFET. Ofrecen el mejor rendimiento de su clase y más eficacia, densidad de potencia y rentabilidad. Los diseños que requieren una alta calidad y una mayor protección se benefician los MOSFET para automoción compatibles con los estándares de la industria AEC-Q101.

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