MOSFET, Tipo N-Canal Infineon BSC039N06NSATMA1, VDSS 60 V, ID 100 A, Mejora, TDSON de 8 pines

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Código RS:
906-4292
Nº ref. fabric.:
BSC039N06NSATMA1
Fabricante:
Infineon
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Marca

Infineon

Tipo de producto

MOSFET

Tipo de canal

Tipo N

Corriente continua máxima de drenaje ld

100A

Tensión máxima Drenador-Fuente Vds

60V

Serie

OptiMOS 5

Encapsulado

TDSON

Tipo de montaje

Superficie

Número de pines

8

Resistencia máxima Drenador-Fuente Rds

5.9mΩ

Modo de canal

Mejora

Temperatura de Funcionamiento Mínima

-55°C

Carga típica de puerta Qg @ Vgs

27nC

Tensión directa Vf

1.2V

Disipación de potencia máxima Pd

69W

Tensión máxima de la fuente de la puerta

20 V

Temperatura de funcionamiento máxima

150°C

Anchura

5.35 mm

Altura

1.1mm

Longitud

6.1mm

Certificaciones y estándares

No

Estándar de automoción

No

Estado RoHS: No aplica

MOSFET de potencia OptiMOS™5 de Infineon


Transistores MOSFET, Infineon


Infineon ofrece una amplia y completa gama de dispositivos MOSFET entre los que se incluyen las familias CoolMOS, OptiMOS y StrongIRFET. Ofrecen el mejor rendimiento de su clase y más eficacia, densidad de potencia y rentabilidad. Los diseños que requieren una alta calidad y una mayor protección se benefician los MOSFET para automoción compatibles con los estándares de la industria AEC-Q101.

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