MOSFET, Tipo N-Canal Infineon IPT020N10N3ATMA1, VDSS 100 V, ID 300 A, Mejora, HSOF de 8 pines

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Código RS:
906-4356
Nº ref. fabric.:
IPT020N10N3ATMA1
Fabricante:
Infineon
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Marca

Infineon

Tipo de producto

MOSFET

Tipo de canal

Tipo N

Corriente continua máxima de drenaje ld

300A

Tensión máxima Drenador-Fuente Vds

100V

Encapsulado

HSOF

Serie

OptiMOS 3

Tipo de montaje

Superficie

Número de pines

8

Resistencia máxima Drenador-Fuente Rds

3.7mΩ

Modo de canal

Mejora

Carga típica de puerta Qg @ Vgs

156nC

Tensión máxima de la fuente de la puerta

20 V

Disipación de potencia máxima Pd

375W

Temperatura de Funcionamiento Mínima

-55°C

Tensión directa Vf

1V

Temperatura de funcionamiento máxima

175°C

Altura

2.4mm

Longitud

10.58mm

Certificaciones y estándares

No

Anchura

10.1 mm

Estándar de automoción

No

Estado RoHS: No aplica

MOSFET de potencia Infineon OptiMOS™3, 100 V y superior


Transistores MOSFET, Infineon


Infineon ofrece una amplia y completa gama de dispositivos MOSFET entre los que se incluyen las familias CoolMOS, OptiMOS y StrongIRFET. Ofrecen el mejor rendimiento de su clase y más eficacia, densidad de potencia y rentabilidad. Los diseños que requieren una alta calidad y una mayor protección se benefician los MOSFET para automoción compatibles con los estándares de la industria AEC-Q101.

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