MOSFET, Tipo N-Canal Infineon IPT020N10N3ATMA1, VDSS 100 V, ID 300 A, Mejora, HSOF de 8 pines

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Código RS:
906-4356
Nº ref. fabric.:
IPT020N10N3ATMA1
Fabricante:
Infineon
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Marca

Infineon

Tipo de canal

Tipo N

Tipo de producto

MOSFET

Corriente continua máxima de drenaje ld

300A

Tensión máxima Drenador-Fuente Vds

100V

Serie

OptiMOS 3

Encapsulado

HSOF

Tipo de montaje

Superficie

Número de pines

8

Resistencia máxima Drenador-Fuente Rds

3.7mΩ

Modo de canal

Mejora

Disipación de potencia máxima Pd

375W

Tensión directa Vf

1V

Tensión máxima de la fuente de la puerta

20V

Carga típica de puerta Qg @ Vgs

156nC

Temperatura de Funcionamiento Mínima

-55°C

Temperatura de funcionamiento máxima

175°C

Certificaciones y estándares

No

Longitud

10.58mm

Anchura

10.1mm

Altura

2.4mm

Estándar de automoción

No

Estado RoHS: No aplica

MOSFET de potencia Infineon OptiMOS™3, 100 V y superior


Transistores MOSFET, Infineon


Infineon ofrece una amplia y completa gama de dispositivos MOSFET entre los que se incluyen las familias CoolMOS, OptiMOS y StrongIRFET. Ofrecen el mejor rendimiento de su clase y más eficacia, densidad de potencia y rentabilidad. Los diseños que requieren una alta calidad y una mayor protección se benefician los MOSFET para automoción compatibles con los estándares de la industria AEC-Q101.

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