MOSFET, N-Canal Infineon, VDSS 100 V, ID 300 A, Mejora, HSOF de 9 pines

Código RS:: 170-2320
Nº ref. fabric.:: IPT015N10N5ATMA1
Fabricante:: Infineon

MOSFET, N-Canal Infineon, VDSS 100 V, ID 300 A, Mejora, HSOF de 9 pines

Subtotal (1 bobina de 2000 unidades)*

5.088,00 €

(exc. IVA)

6.156,00 €

(inc.IVA)

Entrega GRATUITA para pedidos superiores a 95,00 €

Agotado temporalmente

Envío desde el 21 de enero de 2027

¿Necesitas comprar más? Introduce la nueva cantidad y clica en "Consultar fechas de entrega"

Unidad(es)	Por unidad	Por Bobina*
2000 +	2,544 €	5.088,00 €

*precio indicativo

Código RS:: 170-2320
Nº ref. fabric.:: IPT015N10N5ATMA1
Fabricante:: Infineon

Especificaciones

Documentación Técnica

Legislación y Conformidad

Datos del Producto

Encuentra productos similares seleccionando uno o varios atributos.

Seleccionar todo	Atributo	Valor
	Marca	Infineon
	Tipo de producto	MOSFET
	Tipo de canal	N
	Corriente continua máxima de drenaje ld	300A
	Tensión máxima Drenador-Fuente Vds	100V
	Encapsulado	HSOF
	Serie	IPT015N10N5
	Tipo de montaje	Superficie
	Número de pines	9
	Resistencia máxima Drenador-Fuente Rds	2mΩ
	Modo de canal	Mejora
	Tensión máxima de la fuente de la puerta	20V
	Temperatura de Funcionamiento Mínima	-55°C
	Disipación de potencia máxima Pd	375W
	Carga típica de puerta Qg @ Vgs	169nC
	Tensión directa Vf	0.9V
	Temperatura de funcionamiento máxima	175°C
	Anchura	10.58mm
	Certificaciones y estándares	No
	Longitud	10.1mm
	Altura	2.4mm
	Estándar de automoción	No

	Seleccionar todo
	Marca Infineon
	Tipo de producto MOSFET
	Tipo de canal N
	Corriente continua máxima de drenaje ld 300A
	Tensión máxima Drenador-Fuente Vds 100V
	Encapsulado HSOF
	Serie IPT015N10N5
	Tipo de montaje Superficie
	Número de pines 9
	Resistencia máxima Drenador-Fuente Rds 2mΩ
	Modo de canal Mejora
	Tensión máxima de la fuente de la puerta 20V
	Temperatura de Funcionamiento Mínima -55°C
	Disipación de potencia máxima Pd 375W
	Carga típica de puerta Qg @ Vgs 169nC
	Tensión directa Vf 0.9V
	Temperatura de funcionamiento máxima 175°C
	Anchura 10.58mm
	Certificaciones y estándares No
	Longitud 10.1mm
	Altura 2.4mm
	Estándar de automoción No

Datasheet

MOSFET de la serie IPT015N10N5 de Infineon, tensión de fuente de drenaje máxima de 100 V, corriente de drenaje continua máxima de 300 A - IPT015N10N5ATMA1

Este MOSFET es un dispositivo de conmutación de canal N de alta corriente diseñado para la conversión de potencia y el control de motores en sistemas electrónicos exigentes. Funciona en un amplio rango de temperaturas y está diseñado para montajes en superficie donde se requiere una conducción robusta y una conmutación rápida. El componente es adecuado para los diseñadores que buscan un transistor compacto de alta potencia para aplicaciones que requieren corrientes de drenaje significativas y manejo de tensión elevada.

Características y ventajas:

• La tensión de drenaje de 100 V permite aplicaciones de conmutación de mayor tensión
• La corriente de drenaje continua de 300 A admite cargas de corriente pesada
• La Rds(on) de 2 mΩ minimiza las pérdidas por conducción bajo carga
• La carga de puerta típica de 169 nC reduce los compromisos de energía de conmutación
• La disipación de potencia máxima de 375 W permite un funcionamiento de alta potencia
• La tolerancia de puerta de 20 V permite tensiones de accionamiento de puerta flexibles

Aplicaciones

• Apto para etapas de accionamiento de motor de alta corriente
• Ideal para la rectificación síncrona en fuentes de alimentación
• Se utiliza con módulos de inversor para accionamientos industriales
• Se puede utilizar para convertidores dc-dc en sistemas de alimentación
• Adecuado para electrónica de potencia de tracción o propulsión

¿Qué rango térmico puedo esperar para entornos hostiles?

Está especificado para funcionar desde -55 °C hasta 175 °C, adaptándose a condiciones de unión elevadas.

¿Qué método de montaje es necesario para la integración de PCB?

El dispositivo está diseñado para montaje en superficie en un encapsulado HSOF para montaje automatizado.

¿Cuántos contactos están disponibles para la planificación de la conexión y el diseño?

El encapsulado proporciona nueve contactos, lo que permite rutas de corriente robustas y disposiciones de puerta/drenaje/fuente.

¿Qué modo y tipo de canal utiliza para la topología de conmutación?

El dispositivo es un MOSFET de canal N que funciona en modo de mejora adecuado para disposiciones de lado bajo o lado alto con accionamiento de puerta adecuado.