MOSFET, Tipo N-Canal Infineon, VDSS 100 V, ID 300 A, Mejora, HSOF de 9 pines

Código RS:: 170-2320
Nº ref. fabric.:: IPT015N10N5ATMA1
Fabricante:: Infineon

MOSFET, Tipo N-Canal Infineon, VDSS 100 V, ID 300 A, Mejora, HSOF de 9 pines

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Código RS:: 170-2320
Nº ref. fabric.:: IPT015N10N5ATMA1
Fabricante:: Infineon

Especificaciones

Documentación Técnica

Legislación y Conformidad

Datos del Producto

Encuentra productos similares seleccionando uno o varios atributos.

Seleccionar todo	Atributo	Valor
	Marca	Infineon
	Tipo de producto	MOSFET
	Tipo de canal	Tipo N
	Corriente continua máxima de drenaje ld	300A
	Tensión máxima Drenador-Fuente Vds	100V
	Serie	IPT015N10N5
	Encapsulado	HSOF
	Tipo de montaje	Superficie
	Número de pines	9
	Resistencia máxima Drenador-Fuente Rds	2mΩ
	Modo de canal	Mejora
	Tensión directa Vf	0.9V
	Disipación de potencia máxima Pd	375W
	Carga típica de puerta Qg @ Vgs	169nC
	Temperatura de Funcionamiento Mínima	-55°C
	Tensión máxima de la fuente de la puerta	20 V
	Temperatura de funcionamiento máxima	175°C
	Longitud	10.1mm
	Altura	2.4mm
	Anchura	10.58 mm
	Certificaciones y estándares	No
	Estándar de automoción	No

	Seleccionar todo
	Marca Infineon
	Tipo de producto MOSFET
	Tipo de canal Tipo N
	Corriente continua máxima de drenaje ld 300A
	Tensión máxima Drenador-Fuente Vds 100V
	Serie IPT015N10N5
	Encapsulado HSOF
	Tipo de montaje Superficie
	Número de pines 9
	Resistencia máxima Drenador-Fuente Rds 2mΩ
	Modo de canal Mejora
	Tensión directa Vf 0.9V
	Disipación de potencia máxima Pd 375W
	Carga típica de puerta Qg @ Vgs 169nC
	Temperatura de Funcionamiento Mínima -55°C
	Tensión máxima de la fuente de la puerta 20 V
	Temperatura de funcionamiento máxima 175°C
	Longitud 10.1mm
	Altura 2.4mm
	Anchura 10.58 mm
	Certificaciones y estándares No
	Estándar de automoción No

Datasheet

MOSFET Infineon

El MOSFET de canal N de montaje en superficie Infineon HSOF-8 es un producto de nueva era con una resistencia de fuente de drenaje de 1,5mohm A con una tensión de fuente de puerta de 10V V. El MOSFET tiene una corriente de drenaje continua de 300A A. Tiene una tensión de fuente de compuerta máxima de 20V V y una tensión de fuente de drenaje de 100V V. Tiene una disipación de potencia máxima de 375W mW. El MOSFET tiene una tensión de accionamiento mínima y máxima de 6V V y 10V V respectivamente. Se ha optimizado para menores pérdidas de conducción y conmutación. El MOSFET ofrece una excelente eficiencia junto con una larga vida útil sin comprometer el rendimiento ni la funcionalidad.

Características y ventajas

• 100 % a prueba de avalancha

• Excelente carga de compuerta x producto RDS (ON) (FOM)

• Libre de halógenos

• Máxima eficiencia del sistema

• Ideal para alta frecuencia de conmutación

• Mayor densidad de potencia

• chapado sin plomo (Pb)

• Dissuperior de baja tensión

• La temperatura de funcionamiento oscila entre 55 °C y 175 °C.

• Optimizado para rectificación síncrona

• Reducción de capacitancia de salida de hasta el 44 %

• Reducción RDS (ON) de hasta el 44%

Resistencia de conexión RDS (ON) muy baja de •

Aplicaciones

• Adaptador

• Vehículos eléctricos ligeros

• Unidades de baja tensión

• Fuentes de alimentación del servidor

• Solar

• Telecomunicaciones

Certificaciones

• ANSI/ESD S20,20:2014

• BS EN 61340-5-1:2007

• IEC61249-2-21

• JEDEC