MOSFET, Tipo N-Canal Infineon, VDSS 100 V, ID 300 A, Mejora, HSOF de 8 pines

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Código RS:
214-4346
Nº ref. fabric.:
IAUT300N10S5N015ATMA1
Fabricante:
Infineon
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Marca

Infineon

Tipo de canal

Tipo N

Tipo de producto

MOSFET

Corriente continua máxima de drenaje ld

300A

Tensión máxima Drenador-Fuente Vds

100V

Encapsulado

HSOF

Serie

OptiMOS 5

Tipo de montaje

Superficie

Número de pines

8

Resistencia máxima Drenador-Fuente Rds

1.5mΩ

Modo de canal

Mejora

Tensión directa Vf

1.3V

Temperatura de Funcionamiento Mínima

-55°C

Tensión máxima de la fuente de la puerta

20 V

Carga típica de puerta Qg @ Vgs

166nC

Disipación de potencia máxima Pd

375W

Temperatura de funcionamiento máxima

175°C

Certificaciones y estándares

No

Estándar de automoción

No

Este MOSFET Infineon OptiMOS ofrece el R DS(on) de vanguardia de un MOSFET Trench junto con el amplio área de funcionamiento seguro de un MOSFET planar clásico.

Es ideal para aplicaciones de intercambio en caliente y fusibles electrónicos

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