MOSFET, Tipo N-Canal Infineon IAUT300N10S5N015ATMA1, VDSS 100 V, ID 300 A, Mejora, HSOF de 8 pines
- Código RS:
- 214-4347
- Nº ref. fabric.:
- IAUT300N10S5N015ATMA1
- Fabricante:
- Infineon
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Unidad(es) | Por unidad | Por Paquete* |
|---|---|---|
| 2 - 8 | 5,195 € | 10,39 € |
| 10 - 18 | 4,625 € | 9,25 € |
| 20 - 48 | 4,315 € | 8,63 € |
| 50 - 98 | 4,00 € | 8,00 € |
| 100 + | 3,745 € | 7,49 € |
*precio indicativo
- Código RS:
- 214-4347
- Nº ref. fabric.:
- IAUT300N10S5N015ATMA1
- Fabricante:
- Infineon
Especificaciones
Documentación Técnica
Legislación y Conformidad
Datos del Producto
Encuentra productos similares seleccionando uno o varios atributos.
Seleccionar todo | Atributo | Valor |
|---|---|---|
| Marca | Infineon | |
| Tipo de producto | MOSFET | |
| Tipo de canal | Tipo N | |
| Corriente continua máxima de drenaje ld | 300A | |
| Tensión máxima Drenador-Fuente Vds | 100V | |
| Encapsulado | HSOF | |
| Serie | OptiMOS 5 | |
| Tipo de montaje | Superficie | |
| Número de pines | 8 | |
| Resistencia máxima Drenador-Fuente Rds | 1.5mΩ | |
| Modo de canal | Mejora | |
| Tensión directa Vf | 1.3V | |
| Temperatura de Funcionamiento Mínima | -55°C | |
| Tensión máxima de la fuente de la puerta | 20 V | |
| Carga típica de puerta Qg @ Vgs | 166nC | |
| Disipación de potencia máxima Pd | 375W | |
| Temperatura de funcionamiento máxima | 175°C | |
| Certificaciones y estándares | No | |
| Estándar de automoción | No | |
| Seleccionar todo | ||
|---|---|---|
Marca Infineon | ||
Tipo de producto MOSFET | ||
Tipo de canal Tipo N | ||
Corriente continua máxima de drenaje ld 300A | ||
Tensión máxima Drenador-Fuente Vds 100V | ||
Encapsulado HSOF | ||
Serie OptiMOS 5 | ||
Tipo de montaje Superficie | ||
Número de pines 8 | ||
Resistencia máxima Drenador-Fuente Rds 1.5mΩ | ||
Modo de canal Mejora | ||
Tensión directa Vf 1.3V | ||
Temperatura de Funcionamiento Mínima -55°C | ||
Tensión máxima de la fuente de la puerta 20 V | ||
Carga típica de puerta Qg @ Vgs 166nC | ||
Disipación de potencia máxima Pd 375W | ||
Temperatura de funcionamiento máxima 175°C | ||
Certificaciones y estándares No | ||
Estándar de automoción No | ||
Este MOSFET Infineon OptiMOS ofrece el R DS(on) de vanguardia de un MOSFET Trench junto con el amplio área de funcionamiento seguro de un MOSFET planar clásico.
Es ideal para aplicaciones de intercambio en caliente y fusibles electrónicos
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