MOSFET Infineon IPT015N10N5ATMA1, VDSS 100 V, ID 300 A, HSOF-8 de 8 pines, , config. Simple

El MOSFET de canal N de montaje superficial Infineon HSOF-8 es un producto de nueva era con una resistencia de fuente de drenaje de 1,5mohm a una tensión de fuente de puerta de 10V. El MOSFET tiene una corriente de drenaje continua de 300A. Tiene una tensión máxima de fuente de compuerta de 20V y una tensión de fuente de drenaje de 100V. Tiene una máxima disipación de potencia de 375W. El MOSFET tiene una tensión de conducción mínima y máxima de 6V y 10V respectivamente. Se ha optimizado para reducir las pérdidas de conducción y conmutación. El MOSFET ofrece una excelente eficiencia junto con una vida larga y productiva sin comprometer el rendimiento ni la funcionalidad.

• 100% de avalancha probada
• Excelente carga de compuerta x producto RDS (on) (FOM)
• Libre de halógenos
• Ideal para alta frecuencia de conmutación
• placas libres De Plomo (Pb)
• rangos de temperatura de funcionamiento entre -55 °C y 175 °C.
• Optimizado para la rectificación sincrónica
• reducción de capacitancia de salida de hasta el 44%
• reducción de RDS (on) de hasta el 44%
• Muy baja resistencia RDS (on)

• Adaptador
• vehículos eléctricos ligeros
• accionamientos de baja tensión
• fuentes de alimentación del servidor
• Solar
• Telecomunicaciones

• ANSI/ESD S20.20:2014
• bs en 61340-5-1:2007
• IEC61249-2-21
• JEDEC