MOSFET, Tipo N-Canal Infineon, VDSS 60 V, ID 300 A, Mejora, HSOF de 8 pines

Ver todo MOSFET

Subtotal (1 bobina de 2000 unidades)*

4.932,00 €

(exc. IVA)

5.968,00 €

(inc.IVA)

Add to Basket
Selecciona o escribe la cantidad
Disponible
  • Disponible(s) 2000 unidad(es) para enviar desde otro centro de distribución
¿Necesitas comprar más? Introduce la nueva cantidad y clica en "Consultar fechas de entrega"
Unidad(es)
Por unidad
Por Bobina*
2000 +2,466 €4.932,00 €

*precio indicativo

Código RS:
178-7451
Nº ref. fabric.:
IPT007N06NATMA1
Fabricante:
Infineon
Encuentra productos similares seleccionando uno o varios atributos.
Seleccionar todo

Marca

Infineon

Tipo de producto

MOSFET

Tipo de canal

Tipo N

Corriente continua máxima de drenaje ld

300A

Tensión máxima Drenador-Fuente Vds

60V

Encapsulado

HSOF

Serie

OptiMOS 5

Tipo de montaje

Superficie

Número de pines

8

Resistencia máxima Drenador-Fuente Rds

1mΩ

Modo de canal

Mejora

Carga típica de puerta Qg @ Vgs

216nC

Temperatura de Funcionamiento Mínima

-55°C

Tensión directa Vf

1V

Tensión máxima de la fuente de la puerta

20 V

Disipación de potencia máxima Pd

375W

Temperatura de funcionamiento máxima

175°C

Certificaciones y estándares

No

Altura

2.4mm

Longitud

10.58mm

Anchura

10.1 mm

Estándar de automoción

No

Estado RoHS: No aplica

MOSFET de potencia OptiMOS™5 de Infineon


Transistores MOSFET, Infineon


Infineon ofrece una amplia y completa gama de dispositivos MOSFET entre los que se incluyen las familias CoolMOS, OptiMOS y StrongIRFET. Ofrecen el mejor rendimiento de su clase y más eficacia, densidad de potencia y rentabilidad. Los diseños que requieren una alta calidad y una mayor protección se benefician los MOSFET para automoción compatibles con los estándares de la industria AEC-Q101.

Enlaces relacionados