MOSFET Infineon IRLI540NPBF, VDSS 100 V, ID 23 A, TO-220 FP de 3 pines, config. Simple
- Código RS:
- 913-3792
- Nº ref. fabric.:
- IRLI540NPBF
- Fabricante:
- Infineon
Producto Descatalogado
- Código RS:
- 913-3792
- Nº ref. fabric.:
- IRLI540NPBF
- Fabricante:
- Infineon
Documentación Técnica
Legislación y Conformidad
- COO (País de Origen):
- CN
Datos del Producto
MOSFET de potencia de canal N de 100 V, Infineon
La gama de MOSFET de potencia HEXFET® discretos de Infineon incluye dispositivos de canal N de montaje en superficie y encapsulados de conexión. Y los factores de forma se pueden adaptar a casi cualquier disposición de placa y diseño térmico. La gama completa de referencia reduce las pérdidas en unidades de resistencia, lo que permite a los diseñadores proporcionar una eficiencia óptima del sistema.
Transistores MOSFET, Infineon
Infineon ofrece una amplia y completa gama de dispositivos MOSFET entre los que se incluyen las familias CoolMOS, OptiMOS y StrongIRFET. Ofrecen el mejor rendimiento de su clase y más eficacia, densidad de potencia y rentabilidad. Los diseños que requieren una alta calidad y una mayor protección se benefician los MOSFET para automoción compatibles con los estándares de la industria AEC-Q101.
Especificaciones
Atributo | Valor |
|---|---|
| Tipo de Canal | N |
| Corriente Máxima Continua de Drenaje | 23 A |
| Tensión Máxima Drenador-Fuente | 100 V |
| Tipo de Encapsulado | TO-220 FP |
| Tipo de Montaje | Montaje en orificio pasante |
| Conteo de Pines | 3 |
| Resistencia Máxima Drenador-Fuente | 44 mΩ |
| Modo de Canal | Mejora |
| Tensión de umbral de puerta máxima | 2V |
| Tensión de umbral de puerta mínima | 1V |
| Disipación de Potencia Máxima | 54 W |
| Configuración de transistor | Simple |
| Tensión Máxima Puerta-Fuente | -16 V, +16 V |
| Carga Típica de Puerta @ Vgs | 74 nC a 5 V |
| Longitud | 10.6mm |
| Número de Elementos por Chip | 1 |
| Temperatura Máxima de Funcionamiento | +175 °C |
| Material del transistor | Si |
| Ancho | 4.8mm |
| Altura | 9.8mm |
| Temperatura de Funcionamiento Mínima | -55 °C |
| Serie | HEXFET |
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