MOSFET Infineon IRF9540NPBF, VDSS 100 V, ID 23 A, TO-220AB de 3 pines, , config. Simple

Código RS:: 919-4886
Nº ref. fabric.:: IRF9540NPBF
Fabricante:: Infineon

MOSFET Infineon IRF9540NPBF, VDSS 100 V, ID 23 A, TO-220AB de 3 pines, , config. Simple

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Código RS:: 919-4886
Nº ref. fabric.:: IRF9540NPBF
Fabricante:: Infineon

MOSFET Infineon serie HEXFET, corriente de drenaje continua máxima de 23 A, disipación de potencia máxima de 140 W - IRF9540NPBF

Este MOSFET de canal P está destinado a aplicaciones de alto rendimiento en los sectores de la electrónica y la automatización. Admite una corriente de drenaje continua máxima de 23 A y una tensión de drenaje-fuente de 100 V, lo que mejora la eficiencia del circuito. La configuración del modo de mejora permite un control preciso de la salida, lo que lo hace adecuado para diversas industrias, incluidas las aplicaciones eléctricas y mecánicas.

Características y ventajas

• Maneja hasta 23 A de corriente de drenaje continua para un rendimiento robusto
• Tensión de drenaje-fuente máxima de 100 V para un funcionamiento constante
• La baja resistencia de drenaje-fuente máxima de 117 mΩ optimiza la eficiencia energética
• Capaz de disipar hasta 140 W para aplicaciones intensivas
• La carga de puerta típica de 97 nC a 10 V permite una conmutación rápida

Aplicaciones

• Utilizados en circuitos de gestión de potencia para una conversión eficiente de la energía
• Se utiliza en sistemas de control de motores para regular la velocidad con precisión
• Integrado en los circuitos de alimentación para mejorar la fiabilidad operativa
• Utilizado en diversos sistemas de automatización para funciones de control eficaces

¿Cuál es el rango de temperatura para un rendimiento óptimo?

El intervalo de temperaturas de funcionamiento oscila entre -55 °C y +175 °C, lo que permite un uso eficaz en diversas condiciones ambientales.

¿Cómo afecta la tensión de umbral de puerta al funcionamiento?

La tensión umbral de la puerta varía entre 2 V y 4 V, lo que garantiza una activación fiable y un funcionamiento suave en respuesta a las señales de control.

¿Qué tipo de montaje se requiere para la instalación?

Este MOSFET está diseñado para su montaje a través de orificios, lo que facilita su integración en diferentes conjuntos electrónicos.

¿Puede utilizarse este MOSFET en aplicaciones de alta frecuencia?

Sí, es adecuado para aplicaciones de conmutación de alta frecuencia debido a su baja carga de puerta y su rápida capacidad de conmutación.

¿Qué importancia tiene la baja resistencia drenador-fuente?

Una baja resistencia drenaje-fuente de 117 mΩ mejora la eficiencia energética global al minimizar las pérdidas de energía durante el funcionamiento.

Transistores MOSFET, Infineon

Infineon ofrece una amplia y completa gama de dispositivos MOSFET entre los que se incluyen las familias CoolMOS, OptiMOS y StrongIRFET. Ofrecen el mejor rendimiento de su clase y más eficacia, densidad de potencia y rentabilidad. Los diseños que requieren una alta calidad y una mayor protección se benefician los MOSFET para automoción compatibles con los estándares de la industria AEC-Q101.

Atributo	Valor
Tipo de Canal	P
Corriente Máxima Continua de Drenaje	23 A
Tensión Máxima Drenador-Fuente	100 V
Tipo de Encapsulado	TO-220AB
Serie	HEXFET
Tipo de Montaje	Montaje en orificio pasante
Conteo de Pines	3
Resistencia Máxima Drenador-Fuente	117 mΩ
Modo de Canal	Mejora
Tensión de umbral de puerta máxima	4V
Tensión de umbral de puerta mínima	2V
Disipación de Potencia Máxima	140 W
Configuración de transistor	Simple
Tensión Máxima Puerta-Fuente	-20 V, +20 V
Número de Elementos por Chip	1
Material del transistor	Si
Carga Típica de Puerta @ Vgs	97 nC a 10 V
Temperatura Máxima de Funcionamiento	+175 °C
Temperatura de Funcionamiento Mínima	-55 °C
Altura	8.77mm