MOSFET, Tipo P-Canal Infineon, VDSS 100 V, ID 23 A, Mejora, TO-220 de 3 pines
- Código RS:
- 919-4886
- Nº ref. fabric.:
- IRF9540NPBF
- Fabricante:
- Infineon
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Unidad(es) | Por unidad | Por Tubo* |
|---|---|---|
| 50 - 50 | 0,677 € | 33,85 € |
| 100 - 200 | 0,553 € | 27,65 € |
| 250 - 450 | 0,538 € | 26,90 € |
| 500 - 950 | 0,525 € | 26,25 € |
| 1000 + | 0,511 € | 25,55 € |
*precio indicativo
- Código RS:
- 919-4886
- Nº ref. fabric.:
- IRF9540NPBF
- Fabricante:
- Infineon
Especificaciones
Documentación Técnica
Legislación y Conformidad
Datos del Producto
Encuentra productos similares seleccionando uno o varios atributos.
Seleccionar todo | Atributo | Valor |
|---|---|---|
| Marca | Infineon | |
| Tipo de producto | MOSFET | |
| Tipo de canal | Tipo P | |
| Corriente continua máxima de drenaje ld | 23A | |
| Tensión máxima Drenador-Fuente Vds | 100V | |
| Encapsulado | TO-220 | |
| Serie | HEXFET | |
| Tipo de montaje | Orificio pasante | |
| Número de pines | 3 | |
| Resistencia máxima Drenador-Fuente Rds | 117mΩ | |
| Modo de canal | Mejora | |
| Tensión máxima de la fuente de la puerta | 20 V | |
| Tensión directa Vf | -1.6V | |
| Carga típica de puerta Qg @ Vgs | 97nC | |
| Temperatura de Funcionamiento Mínima | -55°C | |
| Disipación de potencia máxima Pd | 140W | |
| Temperatura de funcionamiento máxima | 175°C | |
| Anchura | 4.69 mm | |
| Certificaciones y estándares | No | |
| Altura | 8.77mm | |
| Longitud | 10.54mm | |
| Estándar de automoción | No | |
| Seleccionar todo | ||
|---|---|---|
Marca Infineon | ||
Tipo de producto MOSFET | ||
Tipo de canal Tipo P | ||
Corriente continua máxima de drenaje ld 23A | ||
Tensión máxima Drenador-Fuente Vds 100V | ||
Encapsulado TO-220 | ||
Serie HEXFET | ||
Tipo de montaje Orificio pasante | ||
Número de pines 3 | ||
Resistencia máxima Drenador-Fuente Rds 117mΩ | ||
Modo de canal Mejora | ||
Tensión máxima de la fuente de la puerta 20 V | ||
Tensión directa Vf -1.6V | ||
Carga típica de puerta Qg @ Vgs 97nC | ||
Temperatura de Funcionamiento Mínima -55°C | ||
Disipación de potencia máxima Pd 140W | ||
Temperatura de funcionamiento máxima 175°C | ||
Anchura 4.69 mm | ||
Certificaciones y estándares No | ||
Altura 8.77mm | ||
Longitud 10.54mm | ||
Estándar de automoción No | ||
MOSFET Infineon serie HEXFET, corriente de drenaje continua máxima de 23 A, disipación de potencia máxima de 140 W - IRF9540NPBF
Este MOSFET de canal P está destinado a aplicaciones de alto rendimiento en los sectores de la electrónica y la automatización. Admite una corriente de drenaje continua máxima de 23 A y una tensión de drenaje-fuente de 100 V, lo que mejora la eficiencia del circuito. La configuración del modo de mejora permite un control preciso de la salida, lo que lo hace adecuado para diversas industrias, incluidas las aplicaciones eléctricas y mecánicas.
Características y ventajas
• Maneja hasta 23 A de corriente de drenaje continua para un rendimiento robusto
• Tensión de drenaje-fuente máxima de 100 V para un funcionamiento constante
• La baja resistencia de drenaje-fuente máxima de 117 mΩ optimiza la eficiencia energética
• Capaz de disipar hasta 140 W para aplicaciones intensivas
• La carga de puerta típica de 97 nC a 10 V permite una conmutación rápida
Aplicaciones
• Utilizados en circuitos de gestión de potencia para una conversión eficiente de la energía
• Se utiliza en sistemas de control de motores para regular la velocidad con precisión
• Integrado en los circuitos de alimentación para mejorar la fiabilidad operativa
• Utilizado en diversos sistemas de automatización para funciones de control eficaces
¿Cuál es el rango de temperatura para un rendimiento óptimo?
El intervalo de temperaturas de funcionamiento oscila entre -55 °C y +175 °C, lo que permite un uso eficaz en diversas condiciones ambientales.
¿Cómo afecta la tensión de umbral de puerta al funcionamiento?
La tensión umbral de la puerta varía entre 2 V y 4 V, lo que garantiza una activación fiable y un funcionamiento suave en respuesta a las señales de control.
¿Qué tipo de montaje se requiere para la instalación?
Este MOSFET está diseñado para su montaje a través de orificios, lo que facilita su integración en diferentes conjuntos electrónicos.
¿Puede utilizarse este MOSFET en aplicaciones de alta frecuencia?
Sí, es adecuado para aplicaciones de conmutación de alta frecuencia debido a su baja carga de puerta y su rápida capacidad de conmutación.
¿Qué importancia tiene la baja resistencia drenador-fuente?
Una baja resistencia drenaje-fuente de 117 mΩ mejora la eficiencia energética global al minimizar las pérdidas de energía durante el funcionamiento.
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