MOSFET, N-Canal Infineon, VDSS 600 V, ID 23 A, Mejora, TO-220 de 3 pines
- Código RS:
- 222-4923
- Nº ref. fabric.:
- IPP60R022S7XKSA1
- Fabricante:
- Infineon
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Unidad(es) | Por unidad | Por Tubo* |
|---|---|---|
| 50 - 50 | 7,501 € | 375,05 € |
| 100 - 100 | 7,126 € | 356,30 € |
| 150 + | 6,746 € | 337,30 € |
*precio indicativo
- Código RS:
- 222-4923
- Nº ref. fabric.:
- IPP60R022S7XKSA1
- Fabricante:
- Infineon
Especificaciones
Documentación Técnica
Legislación y Conformidad
Datos del Producto
Encuentra productos similares seleccionando uno o varios atributos.
Seleccionar todo | Atributo | Valor |
|---|---|---|
| Marca | Infineon | |
| Tipo de canal | N | |
| Tipo de producto | MOSFET | |
| Corriente continua máxima de drenaje ld | 23A | |
| Tensión máxima Drenador-Fuente Vds | 600V | |
| Encapsulado | TO-220 | |
| Serie | IPP60R | |
| Tipo de montaje | Orificio pasante | |
| Número de pines | 3 | |
| Resistencia máxima Drenador-Fuente Rds | 22mΩ | |
| Modo de canal | Mejora | |
| Disipación de potencia máxima Pd | 390W | |
| Tensión directa Vf | 900mV | |
| Tensión máxima de la fuente de la puerta | 20V | |
| Carga típica de puerta Qg @ Vgs | 150nC | |
| Temperatura de Funcionamiento Mínima | -55°C | |
| Temperatura de funcionamiento máxima | 150°C | |
| Anchura | 4.57mm | |
| Certificaciones y estándares | No | |
| Longitud | 10.36mm | |
| Altura | 9.45mm | |
| Estándar de automoción | AEC-Q101 | |
| Seleccionar todo | ||
|---|---|---|
Marca Infineon | ||
Tipo de canal N | ||
Tipo de producto MOSFET | ||
Corriente continua máxima de drenaje ld 23A | ||
Tensión máxima Drenador-Fuente Vds 600V | ||
Encapsulado TO-220 | ||
Serie IPP60R | ||
Tipo de montaje Orificio pasante | ||
Número de pines 3 | ||
Resistencia máxima Drenador-Fuente Rds 22mΩ | ||
Modo de canal Mejora | ||
Disipación de potencia máxima Pd 390W | ||
Tensión directa Vf 900mV | ||
Tensión máxima de la fuente de la puerta 20V | ||
Carga típica de puerta Qg @ Vgs 150nC | ||
Temperatura de Funcionamiento Mínima -55°C | ||
Temperatura de funcionamiento máxima 150°C | ||
Anchura 4.57mm | ||
Certificaciones y estándares No | ||
Longitud 10.36mm | ||
Altura 9.45mm | ||
Estándar de automoción AEC-Q101 | ||
El diseño Infineon optimizado para bajas pérdidas de conducción, el MOSFET Superjunction 600V CoolMOS™ S7 (IPP60R022S7) in TO-220 dispone del mejor RDS(on) x precio para aplicaciones de baja frecuencia de conmutación, como rectificadores de puente activos, etapas de inversor, relés de entrada, PLC, líneas HV dc, relés de estado sólido de alimentación y disyuntores de estado sólido. El MOSFET CoolMOS™ S7 SJ 600V logra una mayor eficiencia energética y reduce los gastos de BOM.
Minimice las pérdidas de conducción
Aumentar la eficiencia energética
Diseños más compactos y sencillos
Elimine o reduzca el disipador de calor en el diseño de estado sólido
Menor coste total de propiedad (TCO) o coste de lista de materiales (BOM)
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