MOSFET, Tipo P-Canal Infineon, VDSS 100 V, ID 11.3 A, Mejora, TO-220 de 3 pines
- Código RS:
- 823-5560
- Número de artículo Distrelec:
- 304-44-485
- Nº ref. fabric.:
- SPP15P10PLHXKSA1
- Fabricante:
- Infineon
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Unidad(es) | Por unidad | Por Paquete* |
|---|---|---|
| 5 - 45 | 3,226 € | 16,13 € |
| 50 - 120 | 2,904 € | 14,52 € |
| 125 - 245 | 2,712 € | 13,56 € |
| 250 - 495 | 2,518 € | 12,59 € |
| 500 + | 2,36 € | 11,80 € |
*precio indicativo
- Código RS:
- 823-5560
- Número de artículo Distrelec:
- 304-44-485
- Nº ref. fabric.:
- SPP15P10PLHXKSA1
- Fabricante:
- Infineon
Especificaciones
Documentación Técnica
Legislación y Conformidad
Datos del Producto
Encuentra productos similares seleccionando uno o varios atributos.
Seleccionar todo | Atributo | Valor |
|---|---|---|
| Marca | Infineon | |
| Tipo de canal | Tipo P | |
| Tipo de producto | MOSFET | |
| Corriente continua máxima de drenaje ld | 11.3A | |
| Tensión máxima Drenador-Fuente Vds | 100V | |
| Encapsulado | TO-220 | |
| Serie | SIPMOS | |
| Tipo de montaje | Orificio pasante | |
| Número de pines | 3 | |
| Resistencia máxima Drenador-Fuente Rds | 270mΩ | |
| Modo de canal | Mejora | |
| Disipación de potencia máxima Pd | 128W | |
| Temperatura de Funcionamiento Mínima | -55°C | |
| Carga típica de puerta Qg @ Vgs | 47nC | |
| Tensión directa Vf | -0.96V | |
| Temperatura de funcionamiento máxima | 175°C | |
| Altura | 15.95mm | |
| Longitud | 10.36mm | |
| Certificaciones y estándares | No | |
| Estándar de automoción | AEC-Q101 | |
| Seleccionar todo | ||
|---|---|---|
Marca Infineon | ||
Tipo de canal Tipo P | ||
Tipo de producto MOSFET | ||
Corriente continua máxima de drenaje ld 11.3A | ||
Tensión máxima Drenador-Fuente Vds 100V | ||
Encapsulado TO-220 | ||
Serie SIPMOS | ||
Tipo de montaje Orificio pasante | ||
Número de pines 3 | ||
Resistencia máxima Drenador-Fuente Rds 270mΩ | ||
Modo de canal Mejora | ||
Disipación de potencia máxima Pd 128W | ||
Temperatura de Funcionamiento Mínima -55°C | ||
Carga típica de puerta Qg @ Vgs 47nC | ||
Tensión directa Vf -0.96V | ||
Temperatura de funcionamiento máxima 175°C | ||
Altura 15.95mm | ||
Longitud 10.36mm | ||
Certificaciones y estándares No | ||
Estándar de automoción AEC-Q101 | ||
- COO (País de Origen):
- MY
MOSFET de canal P Infineon SIPMOS®
Los MOSFET pequeños de canal P de señales Infineon SIPMOS® tienen varias características como modo de mejora, corriente de consumo continua, algunos tan baja como -80 A, y un amplio rango de temperaturas de funcionamiento. El transistor de potencia SIPMOS se puede usar en muchas aplicaciones, como telecomunicaciones, eMobility, ordenadores portátiles, dispositivos dc/dc e industria del automóvil.
· Certificación AEC Q101 (consulte la hoja de datos)
· chapado de plomo sin plomo, conforme con RoHS
Transistores MOSFET, Infineon
Infineon ofrece una amplia y completa gama de dispositivos MOSFET entre los que se incluyen las familias CoolMOS, OptiMOS y StrongIRFET. Ofrecen el mejor rendimiento de su clase y más eficacia, densidad de potencia y rentabilidad. Los diseños que requieren una alta calidad y una mayor protección se benefician los MOSFET para automoción compatibles con los estándares de la industria AEC-Q101.
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