MOSFET, Tipo P-Canal Infineon, VDSS 100 V, ID 40 A, Mejora, TO-220 de 3 pines
- Código RS:
- 919-4915
- Nº ref. fabric.:
- IRF5210PBF
- Fabricante:
- Infineon
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Unidad(es) | Por unidad | Por Tubo* |
|---|---|---|
| 50 - 50 | 1,536 € | 76,80 € |
| 100 - 200 | 1,306 € | 65,30 € |
| 250 + | 1,152 € | 57,60 € |
*precio indicativo
- Código RS:
- 919-4915
- Nº ref. fabric.:
- IRF5210PBF
- Fabricante:
- Infineon
Seleccionar todo | Atributo | Valor |
|---|---|---|
| Marca | Infineon | |
| Tipo de producto | MOSFET | |
| Tipo de canal | Tipo P | |
| Corriente continua máxima de drenaje ld | 40A | |
| Tensión máxima Drenador-Fuente Vds | 100V | |
| Serie | HEXFET | |
| Encapsulado | TO-220 | |
| Tipo de montaje | Orificio pasante | |
| Número de pines | 3 | |
| Resistencia máxima Drenador-Fuente Rds | 60mΩ | |
| Modo de canal | Mejora | |
| Disipación de potencia máxima Pd | 200W | |
| Tensión máxima de la fuente de la puerta | -20, +20V | |
| Tensión directa Vf | -1.6V | |
| Carga típica de puerta Qg @ Vgs | 180nC | |
| Temperatura de Funcionamiento Mínima | -55°C | |
| Temperatura de funcionamiento máxima | 175°C | |
| Longitud | 10.54mm | |
| Altura | 8.77mm | |
| Certificaciones y estándares | No | |
| Anchura | 4.69mm | |
| Estándar de automoción | No | |
| Seleccionar todo | ||
|---|---|---|
Marca Infineon | ||
Tipo de producto MOSFET | ||
Tipo de canal Tipo P | ||
Corriente continua máxima de drenaje ld 40A | ||
Tensión máxima Drenador-Fuente Vds 100V | ||
Serie HEXFET | ||
Encapsulado TO-220 | ||
Tipo de montaje Orificio pasante | ||
Número de pines 3 | ||
Resistencia máxima Drenador-Fuente Rds 60mΩ | ||
Modo de canal Mejora | ||
Disipación de potencia máxima Pd 200W | ||
Tensión máxima de la fuente de la puerta -20, +20V | ||
Tensión directa Vf -1.6V | ||
Carga típica de puerta Qg @ Vgs 180nC | ||
Temperatura de Funcionamiento Mínima -55°C | ||
Temperatura de funcionamiento máxima 175°C | ||
Longitud 10.54mm | ||
Altura 8.77mm | ||
Certificaciones y estándares No | ||
Anchura 4.69mm | ||
Estándar de automoción No | ||
- COO (País de Origen):
- CN
MOSFET Infineon serie HEXFET, corriente de drenaje continua máxima de 40 A, disipación de potencia máxima de 200 W - IRF5210PBF
Características y ventajas
Aplicaciones
¿Cuál es la temperatura máxima de funcionamiento de este componente?
¿Cómo beneficia la baja resistencia a la conexión al rendimiento del circuito?
¿Es adecuado para aplicaciones en sistemas de automoción?
¿En qué tipo de configuraciones de circuito puede integrarse?
¿Cómo debe instalarse para garantizar un rendimiento óptimo?
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