MOSFET, Tipo P-Canal Infineon, VDSS 100 V, ID 40 A, Mejora, TO-220 de 3 pines
- Código RS:
- 919-4915
- Nº ref. fabric.:
- IRF5210PBF
- Fabricante:
- Infineon
Subtotal (1 tubo de 50 unidades)*
76,80 €
(exc. IVA)
92,95 €
(inc.IVA)
Entrega GRATUITA para pedidos superiores a 95,00 €
- Envío desde el 16 de octubre de 2026
Unidad(es) | Por unidad | Por Tubo* |
|---|---|---|
| 50 - 50 | 1,536 € | 76,80 € |
| 100 - 200 | 1,306 € | 65,30 € |
| 250 + | 1,152 € | 57,60 € |
*precio indicativo
- Código RS:
- 919-4915
- Nº ref. fabric.:
- IRF5210PBF
- Fabricante:
- Infineon
Seleccionar todo | Atributo | Valor |
|---|---|---|
| Marca | Infineon | |
| Tipo de canal | Tipo P | |
| Tipo de producto | MOSFET | |
| Corriente continua máxima de drenaje ld | 40A | |
| Tensión máxima Drenador-Fuente Vds | 100V | |
| Encapsulado | TO-220 | |
| Serie | HEXFET | |
| Tipo de montaje | Orificio pasante | |
| Número de pines | 3 | |
| Resistencia máxima Drenador-Fuente Rds | 60mΩ | |
| Modo de canal | Mejora | |
| Disipación de potencia máxima Pd | 200W | |
| Tensión directa Vf | -1.6V | |
| Temperatura de Funcionamiento Mínima | -55°C | |
| Carga típica de puerta Qg @ Vgs | 180nC | |
| Temperatura de funcionamiento máxima | 175°C | |
| Altura | 8.77mm | |
| Certificaciones y estándares | No | |
| Longitud | 10.54mm | |
| Estándar de automoción | No | |
| Seleccionar todo | ||
|---|---|---|
Marca Infineon | ||
Tipo de canal Tipo P | ||
Tipo de producto MOSFET | ||
Corriente continua máxima de drenaje ld 40A | ||
Tensión máxima Drenador-Fuente Vds 100V | ||
Encapsulado TO-220 | ||
Serie HEXFET | ||
Tipo de montaje Orificio pasante | ||
Número de pines 3 | ||
Resistencia máxima Drenador-Fuente Rds 60mΩ | ||
Modo de canal Mejora | ||
Disipación de potencia máxima Pd 200W | ||
Tensión directa Vf -1.6V | ||
Temperatura de Funcionamiento Mínima -55°C | ||
Carga típica de puerta Qg @ Vgs 180nC | ||
Temperatura de funcionamiento máxima 175°C | ||
Altura 8.77mm | ||
Certificaciones y estándares No | ||
Longitud 10.54mm | ||
Estándar de automoción No | ||
- COO (País de Origen):
- CN
MOSFET Infineon serie HEXFET, corriente de drenaje continua máxima de 40 A, disipación de potencia máxima de 200 W - IRF5210PBF
Características y ventajas
Aplicaciones
¿Cuál es la temperatura máxima de funcionamiento de este componente?
¿Cómo beneficia la baja resistencia a la conexión al rendimiento del circuito?
¿Es adecuado para aplicaciones en sistemas de automoción?
¿En qué tipo de configuraciones de circuito puede integrarse?
¿Cómo debe instalarse para garantizar un rendimiento óptimo?
Enlaces relacionados
- MOSFET VDSS 100 V Mejora, TO-220 de 3 pines
- MOSFET VDSS 55 V Mejora, TO-220 de 3 pines
- MOSFET VDSS 100 V Mejora, TO-220 de 3 pines
- MOSFET VDSS 100 V Mejora, TO-220 de 3 pines
- MOSFET VDSS 60 V Mejora, TO-220 de 3 pines
- MOSFET VDSS 55 V Mejora, TO-220 de 3 pines
- MOSFET VDSS 55 V Mejora, TO-220 de 3 pines
- MOSFET VDSS 100 V Mejora, TO-220 de 3 pines
