MOSFET, Tipo P-Canal Infineon, VDSS 100 V, ID 40 A, Mejora, TO-220 de 3 pines
- Código RS:
- 919-4915
- Nº ref. fabric.:
- IRF5210PBF
- Fabricante:
- Infineon
Descuento aplicable por cantidad
Ver precios por cantidadSubtotal (1 tubo de 50 unidades)*
64,20 €
(exc. IVA)
77,70 €
(inc.IVA)
Entrega GRATUITA para pedidos superiores a 95,00 €
Agotado temporalmente
- Envío desde el 10 de septiembre de 2026
¿Necesitas comprar más? Introduce la nueva cantidad y clica en "Consultar fechas de entrega"
Unidad(es) | Por unidad | Por Tubo* |
|---|---|---|
| 50 - 50 | 1,284 € | 64,20 € |
| 100 - 200 | 1,092 € | 54,60 € |
| 250 + | 0,963 € | 48,15 € |
*precio indicativo
- Código RS:
- 919-4915
- Nº ref. fabric.:
- IRF5210PBF
- Fabricante:
- Infineon
Especificaciones
Documentación Técnica
Legislación y Conformidad
Datos del Producto
Encuentra productos similares seleccionando uno o varios atributos.
Seleccionar todo | Atributo | Valor |
|---|---|---|
| Tipo de canal | Tipo P | |
| Tipo de producto | MOSFET | |
| Corriente continua máxima de drenaje ld | 40A | |
| Tensión máxima Drenador-Fuente Vds | 100V | |
| Serie | HEXFET | |
| Encapsulado | TO-220 | |
| Tipo de montaje | Orificio pasante | |
| Número de pines | 3 | |
| Resistencia máxima Drenador-Fuente Rds | 60mΩ | |
| Modo de canal | Mejora | |
| Temperatura de Funcionamiento Mínima | -55°C | |
| Carga típica de puerta Qg @ Vgs | 180nC | |
| Disipación de potencia máxima Pd | 200W | |
| Tensión directa Vf | -1.6V | |
| Temperatura de funcionamiento máxima | 175°C | |
| Longitud | 10.54mm | |
| Certificaciones y estándares | No | |
| Altura | 8.77mm | |
| Estándar de automoción | No | |
| Seleccionar todo | ||
|---|---|---|
Tipo de canal Tipo P | ||
Tipo de producto MOSFET | ||
Corriente continua máxima de drenaje ld 40A | ||
Tensión máxima Drenador-Fuente Vds 100V | ||
Serie HEXFET | ||
Encapsulado TO-220 | ||
Tipo de montaje Orificio pasante | ||
Número de pines 3 | ||
Resistencia máxima Drenador-Fuente Rds 60mΩ | ||
Modo de canal Mejora | ||
Temperatura de Funcionamiento Mínima -55°C | ||
Carga típica de puerta Qg @ Vgs 180nC | ||
Disipación de potencia máxima Pd 200W | ||
Tensión directa Vf -1.6V | ||
Temperatura de funcionamiento máxima 175°C | ||
Longitud 10.54mm | ||
Certificaciones y estándares No | ||
Altura 8.77mm | ||
Estándar de automoción No | ||
- COO (País de Origen):
- CN
MOSFET Infineon serie HEXFET, corriente de drenaje continua máxima de 40 A, disipación de potencia máxima de 200 W - IRF5210PBF
Este MOSFET está diseñado para diversas aplicaciones eléctricas y electrónicas. Está optimizado para ofrecer una alta eficiencia, y es compatible con sistemas de automatización y control en los que la gestión eficaz de la energía es crucial. Sus robustas especificaciones permiten un control preciso del circuito, lo que garantiza la fiabilidad y la eficacia en entornos difíciles.
Características y ventajas
• corriente de drenaje continua de 40 A para aplicaciones de alta potencia
• la tensión de drenaje-fuente máxima de 100 V proporciona versatilidad operativa
• El diseño de canal P simplifica la configuración del circuito
• La funcionalidad del modo de mejora facilita la gestión eficiente de la energía
• La elevada capacidad de disipación de potencia máxima mejora el rendimiento térmico
Aplicaciones
• Conmutación de potencia en la automatización industrial
• Convertidores CC-CC para una alimentación eficiente
• Circuitos de control de motores de precisión
• Escenarios de manejo de picos de potencia en electrónica
¿Cuál es la temperatura máxima de funcionamiento de este componente?
El componente puede funcionar a una temperatura máxima de +175 °C, lo que lo hace adecuado para aplicaciones de alta temperatura.
¿Cómo beneficia la baja resistencia a la conexión al rendimiento del circuito?
La baja resistencia a la conexión reduce las pérdidas de potencia, lo que se traduce en una mayor eficiencia energética y una mejor gestión térmica.
¿Es adecuado para aplicaciones en sistemas de automoción?
Sí, sus robustas especificaciones y características térmicas lo hacen adecuado para aplicaciones de automoción en las que la fiabilidad es esencial.
¿En qué tipo de configuraciones de circuito puede integrarse?
Este componente se integra perfectamente en varias configuraciones, incluidas las disposiciones simples y paralelas, lo que permite una gran flexibilidad de diseño.
¿Cómo debe instalarse para garantizar un rendimiento óptimo?
Garantice un contacto térmico adecuado con un disipador térmico y siga las directrices de diseño de PCB recomendadas para mejorar el rendimiento y la fiabilidad.
Enlaces relacionados
- MOSFET VDSS 100 V Mejora, TO-220 de 3 pines
- MOSFET VDSS 55 V Mejora, TO-220 de 3 pines
- MOSFET VDSS 100 V Mejora, TO-220 de 3 pines
- MOSFET VDSS 100 V Mejora, TO-220 de 3 pines
- MOSFET VDSS 60 V Mejora, TO-220 de 3 pines
- MOSFET VDSS 55 V Mejora, TO-220 de 3 pines
- MOSFET VDSS 55 V Mejora, TO-220 de 3 pines
- MOSFET VDSS 100 V Mejora, TO-220 de 3 pines