MOSFET, N-Canal Infineon, VDSS 100 V, ID 33 A, Mejora, TO-247 de 3 pines
- Código RS:
- 919-4902
- Nº ref. fabric.:
- IRFP140NPBF
- Fabricante:
- Infineon
Descuento aplicable por cantidad
Ver precios por cantidadSubtotal (1 tubo de 25 unidades)*
39,23 €
(exc. IVA)
47,45 €
(inc.IVA)
Entrega GRATUITA para pedidos superiores a 95,00 €
Disponible
- Disponible(s) 225 unidad(es) para enviar desde otro centro de distribución
¿Necesitas comprar más? Introduce la nueva cantidad y clica en "Consultar fechas de entrega"
Unidad(es) | Por unidad | Por Tubo* |
|---|---|---|
| 25 - 25 | 1,569 € | 39,23 € |
| 50 - 100 | 1,287 € | 32,18 € |
| 125 - 225 | 1,208 € | 30,20 € |
| 250 - 600 | 1,13 € | 28,25 € |
| 625 + | 1,036 € | 25,90 € |
*precio indicativo
- Código RS:
- 919-4902
- Nº ref. fabric.:
- IRFP140NPBF
- Fabricante:
- Infineon
Especificaciones
Documentación Técnica
Legislación y Conformidad
Datos del Producto
Encuentra productos similares seleccionando uno o varios atributos.
Seleccionar todo | Atributo | Valor |
|---|---|---|
| Marca | Infineon | |
| Tipo de canal | N | |
| Tipo de producto | MOSFET | |
| Corriente continua máxima de drenaje ld | 33A | |
| Tensión máxima Drenador-Fuente Vds | 100V | |
| Serie | HEXFET | |
| Encapsulado | TO-247 | |
| Tipo de montaje | Orificio pasante | |
| Número de pines | 3 | |
| Resistencia máxima Drenador-Fuente Rds | 52mΩ | |
| Modo de canal | Mejora | |
| Carga típica de puerta Qg @ Vgs | 94nC | |
| Tensión directa Vf | 1.3V | |
| Temperatura de Funcionamiento Mínima | -55°C | |
| Tensión máxima de la fuente de la puerta | -20V, +20V | |
| Disipación de potencia máxima Pd | 140W | |
| Temperatura de funcionamiento máxima | 175°C | |
| Longitud | 15.9mm | |
| Certificaciones y estándares | No | |
| Altura | 20.3mm | |
| Anchura | 5.3mm | |
| Estándar de automoción | No | |
| Seleccionar todo | ||
|---|---|---|
Marca Infineon | ||
Tipo de canal N | ||
Tipo de producto MOSFET | ||
Corriente continua máxima de drenaje ld 33A | ||
Tensión máxima Drenador-Fuente Vds 100V | ||
Serie HEXFET | ||
Encapsulado TO-247 | ||
Tipo de montaje Orificio pasante | ||
Número de pines 3 | ||
Resistencia máxima Drenador-Fuente Rds 52mΩ | ||
Modo de canal Mejora | ||
Carga típica de puerta Qg @ Vgs 94nC | ||
Tensión directa Vf 1.3V | ||
Temperatura de Funcionamiento Mínima -55°C | ||
Tensión máxima de la fuente de la puerta -20V, +20V | ||
Disipación de potencia máxima Pd 140W | ||
Temperatura de funcionamiento máxima 175°C | ||
Longitud 15.9mm | ||
Certificaciones y estándares No | ||
Altura 20.3mm | ||
Anchura 5.3mm | ||
Estándar de automoción No | ||
- COO (País de Origen):
- MX
MOSFET Infineon serie HEXFET, corriente de drenaje continua máxima de 33 A, disipación de potencia máxima de 140 W - IRFP140NPBF
Este MOSFET desempeña un papel crucial en la mejora de la eficiencia y el rendimiento en diversas aplicaciones electrónicas. Está diseñado para soportar altas corrientes y tensiones, ofreciendo soluciones fiables de gestión de la alimentación en sistemas de automatización, electrónica e industrias mecánicas. Su capacidad para funcionar en condiciones extremas garantiza su versatilidad en numerosas aplicaciones.
Características y ventajas
• Corriente de drenaje continua máxima de 33 A para mejorar la capacidad de carga
• Tensión nominal de la fuente de drenaje de hasta 100 V para un rendimiento eficaz
• Baja resistencia de drenaje-fuente máxima de 52 mΩ para un funcionamiento eficiente
• Diseñado para una disipación de potencia de 140 W para gestionar las condiciones térmicas
• Carga de puerta típica de 94 nC a 10 V para velocidades de conmutación rápidas
Aplicaciones
• Uso fiable en fuentes de alimentación conmutadas
• Control del motor para un funcionamiento preciso
• Corriente alta en sistemas de conversión de energía
• Integración en amplificadores de potencia para mejorar la amplificación de la señal
¿Cuál es la tensión máxima que puede soportar este componente?
Soporta una tensión de drenaje-fuente máxima de 100 V, adecuada para aplicaciones de alto voltaje.
¿Cómo afecta la carga de la puerta al funcionamiento?
Una carga de puerta típica de 94 nC a 10 V facilita una conmutación más rápida, mejorando la eficiencia del circuito.
¿Cuáles son las características térmicas de este componente?
Funciona eficazmente entre -55 °C y +175 °C, lo que garantiza su fiabilidad en distintos entornos.
¿Puede utilizarse este componente en proyectos de automatización?
Sí, su alta capacidad de corriente continua y sus valores nominales de tensión son ideales para diversas aplicaciones de automatización.
¿Cómo mejora su rendimiento el bajo RDS(on)?
La baja resistencia máxima de drenaje-fuente ayuda a reducir las pérdidas por conducción, lo que se traduce en un funcionamiento más eficiente desde el punto de vista energético.
Enlaces relacionados
- MOSFET VDSS 100 V Mejora, TO-247 de 3 pines
- MOSFET VDSS 700 V Mejora, TO-247 de 4 pines
- MOSFET VDSS 1200 V Mejora, TO-247 de 3 pines
- MOSFET VDSS 700 V Mejora, TO-247 de 4 pines
- MOSFET VDSS 1200 V Mejora, TO-247 de 3 pines
- MOSFET VDSS 650 V Mejora, TO-247 de 3 pines
- MOSFET VDSS 600 V Mejora, TO-247 de 3 pines
- MOSFET VDSS 650 V Mejora, TO-247 de 3 pines