MOSFET STMicroelectronics STP80NF55-06, VDSS 55 V, ID 80 A, TO-220 de 3 pines, , config. Simple
- Código RS:
- 920-6597
- Nº ref. fabric.:
- STP80NF55-06
- Fabricante:
- STMicroelectronics
1200 Disponible para entrega en 24/48 horas
Añadido
Precio unitario (En un Tubo de 50)
2,668 €
(exc. IVA)
3,228 €
(inc.IVA)
| Unidades | Por unidad | Por Tubo* |
| 50 - 50 | 2,668 € | 133,40 € |
| 100 - 150 | 2,345 € | 117,25 € |
| 200 - 450 | 2,281 € | 114,05 € |
| 500 - 950 | 2,222 € | 111,10 € |
| 1000 + | 2,169 € | 108,45 € |
| *precio indicativo | ||
- Código RS:
- 920-6597
- Nº ref. fabric.:
- STP80NF55-06
- Fabricante:
- STMicroelectronics
Documentación Técnica
Legislación y Conformidad
Datos del Producto
STripFET™ II de canal N, STMicroelectronics
Los MOSFET STripFET™ tienen un amplio rango de tensión de ruptura y ofrecen carga de puerta ultrabaja y baja resistencia encendidos.
Transistores MOSFET, STMicroelectronics
Especificaciones
Atributo | Valor |
|---|---|
| Tipo de Canal | N |
| Corriente Máxima Continua de Drenaje | 80 A |
| Tensión Máxima Drenador-Fuente | 55 V |
| Serie | STripFET II |
| Tipo de Encapsulado | TO-220 |
| Tipo de Montaje | Montaje en orificio pasante |
| Conteo de Pines | 3 |
| Resistencia Máxima Drenador-Fuente | 7 mΩ |
| Modo de Canal | Mejora |
| Tensión de umbral de puerta máxima | 4V |
| Tensión de umbral de puerta mínima | 2V |
| Disipación de Potencia Máxima | 300 W |
| Configuración de transistor | Simple |
| Tensión Máxima Puerta-Fuente | -20 V, +20 V |
| Longitud | 10.4mm |
| Carga Típica de Puerta @ Vgs | 142 nC a 10 V |
| Número de Elementos por Chip | 1 |
| Ancho | 4.6mm |
| Material del transistor | Si |
| Temperatura Máxima de Funcionamiento | +175 °C |
| Temperatura de Funcionamiento Mínima | -55 °C |
| Altura | 9.15mm |
- Código RS:
- 920-6597
- Nº ref. fabric.:
- STP80NF55-06
- Fabricante:
- STMicroelectronics
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