MOSFET STMicroelectronics, N-Canal STP80NF55L-06, VDSS 55 V, ID 80 A, TO-220, Mejora de 3 pines, 1, config. Simple
- Código RS:
- 761-0193
- Nº ref. fabric.:
- STP80NF55L-06
- Fabricante:
- STMicroelectronics
No disponible actualmente
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- Código RS:
- 761-0193
- Nº ref. fabric.:
- STP80NF55L-06
- Fabricante:
- STMicroelectronics
Especificaciones
Documentación Técnica
Legislación y Conformidad
Datos del Producto
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Seleccionar todo | Atributo | Valor |
|---|---|---|
| Marca | STMicroelectronics | |
| Tipo de producto | MOSFET | |
| Tipo de canal | N | |
| Tensión máxima Drenador-Fuente (Vds) | 55 V | |
| Corriente continua máxima de drenaje (ld) | 80 A | |
| Encapsulado | TO-220 | |
| Modo de canal | Mejora | |
| Número de pines | 3 | |
| Número de elementos por chip | 1 | |
| Configuración de transistor | Simple | |
| Altura | 15.75 mm | |
| Longitud | 10.4 mm | |
| Resistencia máxima Drenador-Fuente (Rds) | 8 mΩ | |
| Tensión máxima de la fuente de la puerta | 16 V, -16 V | |
| Temperatura de funcionamiento máxima | 175 °C | |
| Disipación de potencia máxima (Pd) | 300 W | |
| Temperatura de Funcionamiento Mínima | -55 °C | |
| Tipo de montaje | Orificio pasante | |
| Serie | STripFET II | |
| Anchura | 4.6 mm | |
| Seleccionar todo | ||
|---|---|---|
Marca STMicroelectronics | ||
Tipo de producto MOSFET | ||
Tipo de canal N | ||
Tensión máxima Drenador-Fuente (Vds) 55 V | ||
Corriente continua máxima de drenaje (ld) 80 A | ||
Encapsulado TO-220 | ||
Modo de canal Mejora | ||
Número de pines 3 | ||
Número de elementos por chip 1 | ||
Configuración de transistor Simple | ||
Altura 15.75 mm | ||
Longitud 10.4 mm | ||
Resistencia máxima Drenador-Fuente (Rds) 8 mΩ | ||
Tensión máxima de la fuente de la puerta 16 V, -16 V | ||
Temperatura de funcionamiento máxima 175 °C | ||
Disipación de potencia máxima (Pd) 300 W | ||
Temperatura de Funcionamiento Mínima -55 °C | ||
Tipo de montaje Orificio pasante | ||
Serie STripFET II | ||
Anchura 4.6 mm | ||
N-Channel STripFET™ II, STMicroelectronics
STripFET™ MOSFETs with a wide breakdown voltage range offer ultra-low gate charge and low on-resistance.
MOSFET Transistors, STMicroelectronics
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