MOSFET, Tipo N-Canal STMicroelectronics, VDSS 400 V, ID 9 A, Mejora, TO-220 de 3 pines
- Código RS:
- 920-6670
- Nº ref. fabric.:
- STP11NK40ZFP
- Fabricante:
- STMicroelectronics
Descuento aplicable por cantidad
Subtotal (1 tubo de 50 unidades)*
50,45 €
(exc. IVA)
61,05 €
(inc.IVA)
Entrega GRATUITA para pedidos superiores a 80,00 €
Disponible
- Disponible(s) 700 unidad(es) más para enviar a partir del 26 de enero de 2026
¿Necesitas comprar más? Introduce la nueva cantidad y clica en "Consultar fechas de entrega"
Unidad(es) | Por unidad | Por Tubo* |
|---|---|---|
| 50 - 50 | 1,009 € | 50,45 € |
| 100 - 450 | 0,791 € | 39,55 € |
| 500 - 950 | 0,663 € | 33,15 € |
| 1000 - 4950 | 0,557 € | 27,85 € |
| 5000 + | 0,524 € | 26,20 € |
*precio indicativo
- Código RS:
- 920-6670
- Nº ref. fabric.:
- STP11NK40ZFP
- Fabricante:
- STMicroelectronics
Especificaciones
Documentación Técnica
Legislación y Conformidad
Datos del Producto
Encuentra productos similares seleccionando uno o varios atributos.
Seleccionar todo | Atributo | Valor |
|---|---|---|
| Marca | STMicroelectronics | |
| Tipo de producto | MOSFET | |
| Tipo de canal | Tipo N | |
| Corriente continua máxima de drenaje ld | 9A | |
| Tensión máxima Drenador-Fuente Vds | 400V | |
| Encapsulado | TO-220 | |
| Tipo de montaje | Orificio pasante | |
| Número de pines | 3 | |
| Resistencia máxima Drenador-Fuente Rds | 550mΩ | |
| Modo de canal | Mejora | |
| Tensión máxima de la fuente de la puerta | 30 V | |
| Carga típica de puerta Qg @ Vgs | 32nC | |
| Tensión directa Vf | 1.6V | |
| Disipación de potencia máxima Pd | 30W | |
| Temperatura de Funcionamiento Mínima | -55°C | |
| Temperatura de funcionamiento máxima | 150°C | |
| Anchura | 4.6 mm | |
| Certificaciones y estándares | No | |
| Altura | 16.4mm | |
| Longitud | 10.4mm | |
| Estándar de automoción | No | |
| Seleccionar todo | ||
|---|---|---|
Marca STMicroelectronics | ||
Tipo de producto MOSFET | ||
Tipo de canal Tipo N | ||
Corriente continua máxima de drenaje ld 9A | ||
Tensión máxima Drenador-Fuente Vds 400V | ||
Encapsulado TO-220 | ||
Tipo de montaje Orificio pasante | ||
Número de pines 3 | ||
Resistencia máxima Drenador-Fuente Rds 550mΩ | ||
Modo de canal Mejora | ||
Tensión máxima de la fuente de la puerta 30 V | ||
Carga típica de puerta Qg @ Vgs 32nC | ||
Tensión directa Vf 1.6V | ||
Disipación de potencia máxima Pd 30W | ||
Temperatura de Funcionamiento Mínima -55°C | ||
Temperatura de funcionamiento máxima 150°C | ||
Anchura 4.6 mm | ||
Certificaciones y estándares No | ||
Altura 16.4mm | ||
Longitud 10.4mm | ||
Estándar de automoción No | ||
Estado RoHS: No aplica
MDmesh™ de canal N SuperMESH™, 250 V a 650 V, STMicroelectronics
Transistores MOSFET, STMicroelectronics
Enlaces relacionados
- MOSFET VDSS 400 V Mejora, TO-220 de 3 pines
- MOSFET VDSS 400 V Mejora, TO-220 de 3 pines
- MOSFET VDSS 400 V Mejora, TO-220 de 3 pines
- MOSFET VDSS 400 V Mejora, TO-220 de 3 pines
- MOSFET VDSS 950 V Mejora, TO-220 de 3 pines
- MOSFET VDSS 200 V Mejora, TO-220 de 3 pines
- MOSFET VDSS 600 V Mejora, TO-220 de 3 pines
- MOSFET VDSS 800 V Mejora, TO-220 de 3 pines