MOSFET DiodesZetex DMN10H099SFG-7, VDSS 100 V, ID 5,8 A, PowerDI3333-8 de 8 pines, , config. Simple

Código RS:: 921-1041
Nº ref. fabric.:: DMN10H099SFG-7
Fabricante:: DiodesZetex

MOSFET DiodesZetex DMN10H099SFG-7, VDSS 100 V, ID 5,8 A, PowerDI3333-8 de 8 pines, , config. Simple

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Precio unitario (Suministrado en múltiplos de 20)

0,542 €

(exc. IVA)

0,656 €

(inc.IVA)

Unidades	Por unidad	Por Pack*
20 +	0,542 €	10,84 €

*precio indicativo

Código RS:: 921-1041
Nº ref. fabric.:: DMN10H099SFG-7
Fabricante:: DiodesZetex

Documentación Técnica

Legislación y Conformidad

Datos del Producto

MOSFET de canal N doble, Diodes Inc.

Transistores MOSFET, Diodes Inc.

Especificaciones

Atributo	Valor
Tipo de Canal	N
Corriente Máxima Continua de Drenaje	5,8 A
Tensión Máxima Drenador-Fuente	100 V
Tipo de Encapsulado	PowerDI3333-8
Tipo de Montaje	Montaje superficial
Conteo de Pines	8
Resistencia Máxima Drenador-Fuente	99 mΩ
Modo de Canal	Mejora
Tensión de umbral de puerta máxima	3V
Tensión de umbral de puerta mínima	1.5V
Disipación de Potencia Máxima	2,31 W
Configuración de transistor	Simple
Tensión Máxima Puerta-Fuente	-20 V, +20 V
Número de Elementos por Chip	1
Ancho	3.35mm
Carga Típica de Puerta @ Vgs	25,2 nC a 10 V
Longitud	3.35mm
Temperatura Máxima de Funcionamiento	+150 °C
Material del transistor	Si
Temperatura de Funcionamiento Mínima	-55 °C
Tensión de diodo directa	0.77V
Altura	0.8mm