Nº ref. fabric.

MOSFET, Tipo N-Canal DiodesZetex DMT5015LFDF-7, VDSS 50 V, ID 11.5 A, Mejora, UDFN de 6 pines

Código RS:: 921-1164
Nº ref. fabric.:: DMT5015LFDF-7
Fabricante:: DiodesZetex

MOSFET, Tipo N-Canal DiodesZetex DMT5015LFDF-7, VDSS 50 V, ID 11.5 A, Mejora, UDFN de 6 pines

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Código RS:: 921-1164
Nº ref. fabric.:: DMT5015LFDF-7
Fabricante:: DiodesZetex

Especificaciones

Documentación Técnica

Legislación y Conformidad

Datos del Producto

Encuentra productos similares seleccionando uno o varios atributos.

Seleccionar todo	Atributo	Valor
	Marca	DiodesZetex
	Tipo de canal	Tipo N
	Tipo de producto	MOSFET
	Corriente continua máxima de drenaje ld	11.5A
	Tensión máxima Drenador-Fuente Vds	50V
	Serie	DMT
	Encapsulado	UDFN
	Tipo de montaje	Superficie
	Número de pines	6
	Resistencia máxima Drenador-Fuente Rds	23mΩ
	Modo de canal	Mejora
	Tensión directa Vf	0.7V
	Carga típica de puerta Qg @ Vgs	14nC
	Temperatura de Funcionamiento Mínima	-55°C
	Tensión máxima de la fuente de la puerta	16 V
	Disipación de potencia máxima Pd	1.97W
	Temperatura de funcionamiento máxima	150°C
	Anchura	2.05 mm
	Longitud	2.05mm
	Altura	0.58mm
	Certificaciones y estándares	No
	Estándar de automoción	AEC-Q101, AEC-Q200, AEC-Q100

	Seleccionar todo
	Marca DiodesZetex
	Tipo de canal Tipo N
	Tipo de producto MOSFET
	Corriente continua máxima de drenaje ld 11.5A
	Tensión máxima Drenador-Fuente Vds 50V
	Serie DMT
	Encapsulado UDFN
	Tipo de montaje Superficie
	Número de pines 6
	Resistencia máxima Drenador-Fuente Rds 23mΩ
	Modo de canal Mejora
	Tensión directa Vf 0.7V
	Carga típica de puerta Qg @ Vgs 14nC
	Temperatura de Funcionamiento Mínima -55°C
	Tensión máxima de la fuente de la puerta 16 V
	Disipación de potencia máxima Pd 1.97W
	Temperatura de funcionamiento máxima 150°C
	Anchura 2.05 mm
	Longitud 2.05mm
	Altura 0.58mm
	Certificaciones y estándares No
	Estándar de automoción AEC-Q101, AEC-Q200, AEC-Q100

MOSFET, Tipo N-Canal DiodesZetex DMT5015LFDF-7, VDSS 50 V, ID 11.5 A, Mejora, UDFN de 6 pines

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MOSFET de canal N, 40 V a 90 V, Diodes Inc.

Transistores MOSFET, Diodes Inc.

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