onsemi AEC-Q101 IGBT de encendido, FGD3040G2-F085, Tipo N-Canal, 41 A, 400 V, TO-252, 3 pines Superficie, 1 MHz

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Opciones de empaquetado:
Código RS:
807-0767
Nº ref. fabric.:
FGD3040G2-F085
Fabricante:
onsemi
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Marca

onsemi

Tipo de producto

IGBT de encendido

Corriente continua máxima de colector Ic

41A

Tensión Colector-Emisor máxima VCEO

400V

Disipación de potencia máxima Pd

150W

Encapsulado

TO-252

Tipo de montaje

Superficie

Tipo de canal

Tipo N

Número de pines

3

Velocidad de conmutación

1MHz

Tensión máxima del emisor de puerta VGEO

±10 V

Temperatura de Funcionamiento Mínima

-55°C

Tensión de saturación máxima Colector-Emisor VCESAT

1.5V

Temperatura de funcionamiento máxima

175°C

Serie

EcoSPARK2

Certificaciones y estándares

RoHS

Estándar de automoción

AEC-Q101

Energía nominal

300mJ

IGBT de encendido para automoción, Fairchild Semiconductor


Estos dispositivos IGBT EcoSPARK están optimizados para accionar bobinas de encendido de automoción. Se han sometido a pruebas de fatiga mecánica y cumplen la norma AEC-Q101.

Características


• Controlador de puerta nivel lógico

• Protección contra ESD

• Aplicaciones: circuitos impulsores de bobina de encendido para automoción, aplicaciones de bobina sobre bujía.

Códigos de producto RS


864-8802 FGB3040CS 400V 20A D2PAK;

864-8805 FGB3040G2_F085 400V 25A DPAK-2;

807-0767 FGD3040G2_F085 400V 25A DPAK;

864-8880 FGI3040G2_F085 400V 25A I2PAK;

864-8899 FGP3040G2_F085 400V 25A TO220;

864-8809 FGB3245G2_F085 450V 23A D2PAK-2;

864-8827 FGD3245G2_F085 450V 23A DPAK;

807-0776 FGD3440G2_F085 400V 25A DPAK;

864-8818 FGB3440G2_F085 400V 25A D2PAK-2;

864-8893 FGP3440G2_F085 400V 25A TO220;

807-8751 ISL9V5036P3_F085 360V 31A TO220;

862-9369 ISL9V5045S3ST_F085 450V 43A D2PAK

IGBT discretos y módulos, Fairchild Semiconductor


El transistor bipolar de puerta aislada o IGBT es un dispositivo semiconductor de potencia de tres terminales, notable por su alta eficacia y conmutación rápida. El IGBT combina las características de accionamiento de puerta sencilla de los MOSFET con la capacidad de tensión de baja saturación y alta corriente de transistores bipolares mediante la combinación de un FET de puerta aislada para la entrada de control, y un transistor de potencia bipolar como conmutador, en un único dispositivo.

Note

Corrientes nominales aplicables cuando la temperatura de la conexión = +110 °C.

Standards

AEC-Q101

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