No EEPROM paralela Microchip, 1 MB, 131072 x, 8, Paralelo, 200 ns, 32 pines PLCC

Código RS:: 177-1467
Nº ref. fabric.:: AT28LV010-20JU
Fabricante:: Microchip

No EEPROM paralela Microchip, 1 MB, 131072 x, 8, Paralelo, 200 ns, 32 pines PLCC

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Código RS:: 177-1467
Nº ref. fabric.:: AT28LV010-20JU
Fabricante:: Microchip

Especificaciones

Documentación Técnica

Legislación y Conformidad

Datos del Producto

Encuentra productos similares seleccionando uno o varios atributos.

Seleccionar todo	Atributo	Valor
	Marca	Microchip
	Tamaño de la memoria	1MB
	Tipo de producto	EEPROM paralela
	Tipo de interfaz	Paralelo
	Encapsulado	PLCC
	Tipo de montaje	Superficie
	Número de pines	32
	Frecuencia del reloj máxima	5MHz
	Organización	128K x 8 bit
	Tensión de alimentación mínima	3.3V
	Número de bits por palabra	8
	Tensión de alimentación máxima	3.6V
	Temperatura de Funcionamiento Mínima	-40°C
	Temperatura de funcionamiento máxima	85°C
	Longitud	12.2mm
	Certificaciones y estándares	No
	Anchura	15 mm
	Serie	AT28LV010
	Número de palabras	131072
	Tiempo de acceso aleatorio máximo	200ns
	Corriente de suministro	15mA
	Almacenamiento de datos	10year
	Estándar de automoción	No

	Seleccionar todo
	Marca Microchip
	Tamaño de la memoria 1MB
	Tipo de producto EEPROM paralela
	Tipo de interfaz Paralelo
	Encapsulado PLCC
	Tipo de montaje Superficie
	Número de pines 32
	Frecuencia del reloj máxima 5MHz
	Organización 128K x 8 bit
	Tensión de alimentación mínima 3.3V
	Número de bits por palabra 8
	Tensión de alimentación máxima 3.6V
	Temperatura de Funcionamiento Mínima -40°C
	Temperatura de funcionamiento máxima 85°C
	Longitud 12.2mm
	Certificaciones y estándares No
	Anchura 15 mm
	Serie AT28LV010
	Número de palabras 131072
	Tiempo de acceso aleatorio máximo 200ns
	Corriente de suministro 15mA
	Almacenamiento de datos 10year
	Estándar de automoción No

Datasheet

La EEPROM de 1 M de alto rendimiento ofrece tiempos de acceso de hasta 200 ns con una disipación de potencia de 54 mW y una tensión de alimentación de 3,0 V.

Características:

Fuente de alimentación sencilla de 3,3 V ± 10 %

Tiempo de acceso de lectura rápida: 200 ns

Funcionamiento de escritura de página automático

Bloqueos internos de datos y direcciones para 128 bytes

Temporizador de control interno

Tiempo de ciclo de escritura rápido

Tiempo de ciclo de escritura de página: 10 ms máx.

Funcionamiento de escritura de página de 1 a 128 bytes

Baja disipación de potencia:

Corriente activa de 15 mA

Corriente en espera CMOS de 20 μA

Protección de datos con hardware y software

Análisis de datos para detectar el fin de escritura

Tecnología CMOS de alta fiabilidad

Duración: 105 ciclos

Retención de datos: 10 años

Configuración de contactos por byte

Rango de temperatura industrial

Única opción de encapsulado verde (sin Pb ni haluros)

No EEPROM paralela Microchip, 1 MB, 131072 x, 8, Paralelo, 200 ns, 32 pines PLCC

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