Memoria EEPROM en paralelo AT28LV010-20JU Microchip, 1Mbit, 128K x, 8bit, Paralelo, 200ns, 32 pines PLCC

La EEPROM de 1 M de alto rendimiento ofrece tiempos de acceso de hasta 200 ns con una disipación de potencia de 54 mW y una tensión de alimentación de 3,0 V.

Características:
Fuente de alimentación sencilla de 3,3 V ± 10 %
Tiempo de acceso de lectura rápida: 200 ns
Funcionamiento de escritura de página automático
Bloqueos internos de datos y direcciones para 128 bytes
Temporizador de control interno
Tiempo de ciclo de escritura rápido
Tiempo de ciclo de escritura de página: 10 ms máx.
Funcionamiento de escritura de página de 1 a 128 bytes
Baja disipación de potencia:
Corriente activa de 15 mA
Corriente en espera CMOS de 20 μA
Protección de datos con hardware y software
Análisis de datos para detectar el fin de escritura
Tecnología CMOS de alta fiabilidad
Duración: 105 ciclos
Retención de datos: 10 años
Configuración de contactos por byte
Rango de temperatura industrial
Única opción de encapsulado verde (sin Pb ni haluros)