IGBT, IKWH40N65EH7XKSA1, N-Canal, 80 A, 650 V, PG-TO247-3-STD-NN4.8, 3-Pines 1

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Opciones de empaquetado:
Código RS:
285-010
Nº ref. fabric.:
IKWH40N65EH7XKSA1
Fabricante:
Infineon
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Marca

Infineon

Corriente Máxima Continua del Colector

80 A

Tensión Máxima Colector-Emisor

650 V

Tensión Máxima Puerta-Emisor

±20V

Disipación de Potencia Máxima

208 W

Número de transistores

1

Configuración

Colector único, emisor simple, puerta simple

Tipo de Encapsulado

PG-TO247-3-STD-NN4.8

Tipo de Montaje

Montaje en orificio pasante

Tipo de Canal

N

Conteo de Pines

3

El IGBT de Infineon es un módulo IGBT de vanguardia, que utiliza la tecnología TRENCHSTOP IGBT7 para un rendimiento excepcional en aplicaciones de alta velocidad con baja tensión de saturación. Diseñado con una tensión nominal de colector-emisor de 650 V, este módulo garantiza una mayor eficiencia y una mínima pérdida de energía, por lo que resulta ideal para entornos industriales exigentes. Con su robusto encapsulado y sus propiedades térmicas optimizadas, este módulo ofrece una extraordinaria resistencia a la humedad, garantizando un funcionamiento constante en diversas condiciones.

Funcionamiento a alta velocidad para una gestión eficiente de la energía
La baja tensión de saturación del colector emisor aumenta el rendimiento
El diodo de recuperación suave garantiza una conmutación suave
Diseño resistente a la humedad para mayor fiabilidad en diversas condiciones
Optimizado para topologías de dos y tres niveles
Amplia gama de productos para soluciones a medida
Cualificado para aplicaciones industriales según los rigurosos estándares JEDEC

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