STMicroelectronics AEC-Q101 IGBT, STGWA30M65DF2AG, 87 A, 650 V, TO-247 LL, 3 pines 1 Orificio pasante
- Código RS:
- 330-470
- Nº ref. fabric.:
- STGWA30M65DF2AG
- Fabricante:
- STMicroelectronics
Descuento aplicable por cantidad
Ver precios por cantidadSubtotal (1 unidad)*
2,63 €
(exc. IVA)
3,18 €
(inc.IVA)
Entrega GRATUITA para pedidos superiores a 95,00 €
Disponible
- Disponible(s) 600 unidad(es) para enviar desde otro centro de distribución
¿Necesitas comprar más? Introduce la nueva cantidad y clica en "Consultar fechas de entrega"
Unidad(es) | Por unidad |
|---|---|
| 1 - 9 | 2,63 € |
| 10 - 99 | 2,42 € |
| 100 - 499 | 2,36 € |
| 500 - 999 | 2,30 € |
| 1000 + | 2,24 € |
*precio indicativo
- Código RS:
- 330-470
- Nº ref. fabric.:
- STGWA30M65DF2AG
- Fabricante:
- STMicroelectronics
Especificaciones
Documentación Técnica
Legislación y Conformidad
Datos del Producto
Encuentra productos similares seleccionando uno o varios atributos.
Seleccionar todo | Atributo | Valor |
|---|---|---|
| Corriente continua máxima de colector Ic | 87A | |
| Tipo de producto | IGBT | |
| Tensión Colector-Emisor máxima VCEO | 650V | |
| Disipación de potencia máxima Pd | 441W | |
| Número de transistores | 1 | |
| Encapsulado | TO-247 LL | |
| Tipo de montaje | Orificio pasante | |
| Número de pines | 3 | |
| Tensión máxima del emisor de puerta VGEO | 20 V | |
| Tensión de saturación máxima Colector-Emisor VCESAT | 2V | |
| Temperatura de Funcionamiento Mínima | -55°C | |
| Temperatura de funcionamiento máxima | 175°C | |
| Longitud | 19.92mm | |
| Certificaciones y estándares | AEC-Q101 | |
| Altura | 21mm | |
| Estándar de automoción | AEC-Q101 | |
| Seleccionar todo | ||
|---|---|---|
Corriente continua máxima de colector Ic 87A | ||
Tipo de producto IGBT | ||
Tensión Colector-Emisor máxima VCEO 650V | ||
Disipación de potencia máxima Pd 441W | ||
Número de transistores 1 | ||
Encapsulado TO-247 LL | ||
Tipo de montaje Orificio pasante | ||
Número de pines 3 | ||
Tensión máxima del emisor de puerta VGEO 20 V | ||
Tensión de saturación máxima Colector-Emisor VCESAT 2V | ||
Temperatura de Funcionamiento Mínima -55°C | ||
Temperatura de funcionamiento máxima 175°C | ||
Longitud 19.92mm | ||
Certificaciones y estándares AEC-Q101 | ||
Altura 21mm | ||
Estándar de automoción AEC-Q101 | ||
Estado RoHS: No aplica
- COO (País de Origen):
- CN
El IGBT de STMicroelectronics se ha desarrollado utilizando una avanzada estructura de parada de campo de puerta de zanja patentada. El dispositivo forma parte de los IGBT de la serie M, que representan un equilibrio óptimo entre el rendimiento del sistema de inversores y la eficiencia donde la baja pérdida y la funcionalidad de cortocircuito son esenciales.
Distribución ajustada de los parámetros
Resistencia térmica baja
Diodo antiparalelo suave y de recuperación muy rápida
Enlaces relacionados
- STMicroelectronics IGBT 50 A TO-247 LL 1 MHz
- STMicroelectronics IGBT Tipo N-Canal 650 V 3 pines Orificio pasante, 1 MHz
- STMicroelectronics IGBT 650 V 3 pines
- STMicroelectronics IGBT 80 A TO-247, 3 pines
- STMicroelectronics AEC-Q101 IGBT Tipo N-Canal 650 V 3 pines 1 Orificio pasante
- STMicroelectronics IGBT 650 V 3 pines Orificio pasante
- STMicroelectronics IGBT Tipo N-Canal TO-247, 3 pines Orificio pasante
- STMicroelectronics IGBT 80 A TO-247, 3 pines Orificio pasante