STMicroelectronics AEC-Q101 IGBT, STGWA30M65DF2AG, 87 A, 650 V, TO-247 LL, 3 pines 1 Orificio pasante

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Código RS:
330-470
Nº ref. fabric.:
STGWA30M65DF2AG
Fabricante:
STMicroelectronics
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Marca

STMicroelectronics

Tipo de producto

IGBT

Corriente continua máxima de colector Ic

87A

Tensión Colector-Emisor máxima VCEO

650V

Número de transistores

1

Disipación de potencia máxima Pd

441W

Encapsulado

TO-247 LL

Tipo de montaje

Orificio pasante

Número de pines

3

Tensión máxima del emisor de puerta VGEO

20 V

Tensión de saturación máxima Colector-Emisor VCESAT

2V

Temperatura de Funcionamiento Mínima

-55°C

Temperatura de funcionamiento máxima

175°C

Longitud

19.92mm

Certificaciones y estándares

AEC-Q101

Altura

21mm

Estándar de automoción

AEC-Q101

Estado RoHS: No aplica

COO (País de Origen):
CN
El IGBT de STMicroelectronics se ha desarrollado utilizando una avanzada estructura de parada de campo de puerta de zanja patentada. El dispositivo forma parte de los IGBT de la serie M, que representan un equilibrio óptimo entre el rendimiento del sistema de inversores y la eficiencia donde la baja pérdida y la funcionalidad de cortocircuito son esenciales.

Distribución ajustada de los parámetros

Resistencia térmica baja

Diodo antiparalelo suave y de recuperación muy rápida

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