STMicroelectronics AEC-Q101 IGBT, STGWA50M65DF2AG Simple, Tipo N-Canal, 119 A, 650 V, TO-247, 3 pines 1 Orificio pasante
- Código RS:
- 215-008
- Nº ref. fabric.:
- STGWA50M65DF2AG
- Fabricante:
- STMicroelectronics
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Unidad(es) | Por unidad | Por Tubo* |
|---|---|---|
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- Código RS:
- 215-008
- Nº ref. fabric.:
- STGWA50M65DF2AG
- Fabricante:
- STMicroelectronics
Especificaciones
Documentación Técnica
Legislación y Conformidad
Datos del Producto
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Seleccionar todo | Atributo | Valor |
|---|---|---|
| Marca | STMicroelectronics | |
| Corriente continua máxima de colector Ic | 119A | |
| Tipo de producto | IGBT | |
| Tensión Colector-Emisor máxima VCEO | 650V | |
| Disipación de potencia máxima Pd | 576W | |
| Número de transistores | 1 | |
| Encapsulado | TO-247 | |
| Configuración | Simple | |
| Tipo de montaje | Orificio pasante | |
| Tipo de canal | Tipo N | |
| Número de pines | 3 | |
| Tensión de saturación máxima Colector-Emisor VCESAT | 2V | |
| Temperatura de Funcionamiento Mínima | -55°C | |
| Tensión máxima del emisor de puerta VGEO | ±20 V | |
| Temperatura de funcionamiento máxima | 175°C | |
| Anchura | 15.70 to 15.90 mm | |
| Certificaciones y estándares | No | |
| Longitud | 20.1mm | |
| Estándar de automoción | AEC-Q101 | |
| Seleccionar todo | ||
|---|---|---|
Marca STMicroelectronics | ||
Corriente continua máxima de colector Ic 119A | ||
Tipo de producto IGBT | ||
Tensión Colector-Emisor máxima VCEO 650V | ||
Disipación de potencia máxima Pd 576W | ||
Número de transistores 1 | ||
Encapsulado TO-247 | ||
Configuración Simple | ||
Tipo de montaje Orificio pasante | ||
Tipo de canal Tipo N | ||
Número de pines 3 | ||
Tensión de saturación máxima Colector-Emisor VCESAT 2V | ||
Temperatura de Funcionamiento Mínima -55°C | ||
Tensión máxima del emisor de puerta VGEO ±20 V | ||
Temperatura de funcionamiento máxima 175°C | ||
Anchura 15.70 to 15.90 mm | ||
Certificaciones y estándares No | ||
Longitud 20.1mm | ||
Estándar de automoción AEC-Q101 | ||
- COO (País de Origen):
- CN
El IGBT de STMicroelectronics se ha desarrollado utilizando una estructura de campo de puerta de trinchera patentada avanzada. El dispositivo forma parte de los IGBT de la serie M, que representan un equilibrio óptimo entre el rendimiento del sistema de inversores y la eficiencia donde la baja pérdida y la funcionalidad de cortocircuito son esenciales. Además, el coeficiente de temperatura VCE(sat) positivo y la distribución de parámetros estrecha resultan en un funcionamiento paralelo más seguro.
Corriente de cola minimizada
Distribución ajustada de los parámetros
Paralelismo más seguro