IGBT, STGWA50M65DF2AG, N-Canal, 119 A, 650 V, TO-247, 3-Pines 1

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Código RS:
215-009
Nº ref. fabric.:
STGWA50M65DF2AG
Fabricante:
STMicroelectronics
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Marca

STMicroelectronics

Corriente Máxima Continua del Colector

119 A

Tensión Máxima Colector-Emisor

650 V

Tensión Máxima Puerta-Emisor

±20V

Número de transistores

1

Disipación de Potencia Máxima

576 W

Configuración

Único

Tipo de Encapsulado

TO-247

Tipo de Montaje

Montaje en orificio pasante

Tipo de Canal

N

Conteo de Pines

3

COO (País de Origen):
CN
El IGBT de STMicroelectronics se ha desarrollado utilizando una avanzada estructura de parada de campo de puerta de zanja patentada. El dispositivo forma parte de los IGBT de la serie M, que representan un equilibrio óptimo entre el rendimiento del sistema de inversores y la eficiencia donde la baja pérdida y la funcionalidad de cortocircuito son esenciales. Además, el coeficiente de temperatura VCE(sat) positivo y la distribución ajustada de los parámetros hacen que el funcionamiento en paralelo sea más seguro.

Corriente de cola minimizada
Distribución ajustada de los parámetros
Puesta en paralelo más segura

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