STMicroelectronics AEC-Q101 IGBT, STGSB200M65DF2AG Simple, NPN-Canal, 216 A, 650 V, ECOPACK, 9 pines 2 Superficie
- Código RS:
- 273-5093
- Nº ref. fabric.:
- STGSB200M65DF2AG
- Fabricante:
- STMicroelectronics
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Unidad(es) | Por unidad | Por Bobina* |
|---|---|---|
| 200 - 200 | 14,452 € | 2.890,40 € |
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- Código RS:
- 273-5093
- Nº ref. fabric.:
- STGSB200M65DF2AG
- Fabricante:
- STMicroelectronics
Especificaciones
Documentación Técnica
Legislación y Conformidad
Datos del Producto
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Seleccionar todo | Atributo | Valor |
|---|---|---|
| Tipo de producto | IGBT | |
| Corriente continua máxima de colector Ic | 216A | |
| Tensión Colector-Emisor máxima VCEO | 650V | |
| Disipación de potencia máxima Pd | 714W | |
| Número de transistores | 2 | |
| Configuración | Simple | |
| Encapsulado | ECOPACK | |
| Tipo de montaje | Superficie | |
| Tipo de canal | NPN | |
| Número de pines | 9 | |
| Temperatura de Funcionamiento Mínima | -55°C | |
| Tensión de saturación máxima Colector-Emisor VCESAT | 2.05V | |
| Tensión máxima del emisor de puerta VGEO | 20 V | |
| Temperatura de funcionamiento máxima | 175°C | |
| Certificaciones y estándares | UL1557 | |
| Altura | 5.5mm | |
| Longitud | 4mm | |
| Estándar de automoción | AEC-Q101 | |
| Seleccionar todo | ||
|---|---|---|
Tipo de producto IGBT | ||
Corriente continua máxima de colector Ic 216A | ||
Tensión Colector-Emisor máxima VCEO 650V | ||
Disipación de potencia máxima Pd 714W | ||
Número de transistores 2 | ||
Configuración Simple | ||
Encapsulado ECOPACK | ||
Tipo de montaje Superficie | ||
Tipo de canal NPN | ||
Número de pines 9 | ||
Temperatura de Funcionamiento Mínima -55°C | ||
Tensión de saturación máxima Colector-Emisor VCESAT 2.05V | ||
Tensión máxima del emisor de puerta VGEO 20 V | ||
Temperatura de funcionamiento máxima 175°C | ||
Certificaciones y estándares UL1557 | ||
Altura 5.5mm | ||
Longitud 4mm | ||
Estándar de automoción AEC-Q101 | ||
- COO (País de Origen):
- CN
La serie M IGBT de baja pérdida de parada de campo de puerta de trinchera de grado de automoción de STMicroelectronics en un encapsulado ACEPACK SMIT. Este dispositivo es un IGBT desarrollado utilizando una estructura de parada de campo de puerta de trinchera propietaria avanzada. El dispositivo forma parte de los IGBT de la serie M, que representan un equilibrio óptimo entre el rendimiento del sistema de inversores y la eficiencia donde la baja pérdida y la funcionalidad de cortocircuito son esenciales.
Distribución de parámetros estrecha
Baja resistencia térmica
Dados en sustrato de cobre de unión directa (DBC)
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