STMicroelectronics AEC-Q101 IGBT, STGHU30M65DF2AG Puerta doble, 84 A, 650 V, HU3PAK, 7 pines 1 Superficie

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Código RS:
285-637
Nº ref. fabric.:
STGHU30M65DF2AG
Fabricante:
STMicroelectronics
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Marca

STMicroelectronics

Tipo de producto

IGBT

Corriente continua máxima de colector Ic

84A

Tensión Colector-Emisor máxima VCEO

650V

Número de transistores

1

Disipación de potencia máxima Pd

441W

Configuración

Puerta doble

Encapsulado

HU3PAK

Tipo de montaje

Superficie

Número de pines

7

Temperatura de Funcionamiento Mínima

-55°C

Tensión máxima del emisor de puerta VGEO

20 V

Tensión de saturación máxima Colector-Emisor VCESAT

2V

Temperatura de funcionamiento máxima

175°C

Longitud

11.9mm

Altura

3.6mm

Certificaciones y estándares

AEC-Q101

Estándar de automoción

AEC-Q101

Este dispositivo de STMicroelectronics es un IGBT desarrollado utilizando una estructura de campo de puerta de trinchera patentada avanzada. El dispositivo forma parte de los IGBT de la serie M, que representan un equilibrio óptimo entre el rendimiento del sistema de inversores y la eficiencia donde la baja pérdida y la funcionalidad de cortocircuito son esenciales. Además, el coeficiente de temperatura VCE(sat) positivo y la distribución de parámetros estrecha resultan en un funcionamiento paralelo más seguro.

Temperatura de unión máxima TJ = 175 °C

6 μs de tiempo de resistencia de cortocircuito mínimo

Distribución ajustada de los parámetros

Paralelismo más seguro

Resistencia térmica baja

Diodo antiparalelo de recuperación suave y muy rápido

Excelente rendimiento de conmutación gracias a la clavija kelvin de conducción adicional

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