IGBT, STGHU30M65DF2AG, 84 A, 650 V, HU3PAK, 7-Pines 1

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Código RS:
285-637
Nº ref. fabric.:
STGHU30M65DF2AG
Fabricante:
STMicroelectronics
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Marca

STMicroelectronics

Corriente Máxima Continua del Colector

84 A

Tensión Máxima Colector-Emisor

650 V

Tensión Máxima Puerta-Emisor

±20V

Número de transistores

1

Disipación de Potencia Máxima

441 W

Configuración

Puerta doble

Tipo de Encapsulado

HU3PAK

Tipo de Montaje

Montaje superficial

Conteo de Pines

7

Este dispositivo de STMicroelectronics es un IGBT desarrollado utilizando una avanzada estructura de parada de campo de puerta de zanja patentada. El dispositivo forma parte de los IGBT de la serie M, que representan un equilibrio óptimo entre el rendimiento del sistema de inversores y la eficiencia donde la baja pérdida y la funcionalidad de cortocircuito son esenciales. Además, el coeficiente de temperatura VCE(sat) positivo y la distribución ajustada de los parámetros hacen que el funcionamiento en paralelo sea más seguro.

Temperatura máxima de unión TJ = 175 °C
6 μs de tiempo mínimo de resistencia al cortocircuito
Distribución ajustada de los parámetros
Puesta en paralelo más segura
Resistencia térmica baja
Diodo antiparalelo de recuperación suave y muy rápida
Excelente rendimiento de conmutación gracias a la clavija kelvin de conducción adicional

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