IGBT, FS1150R08A8P3LMCHPSA1, N-Canal, 600 A, 750 V 6

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Código RS:
349-029
Nº ref. fabric.:
FS1150R08A8P3LMCHPSA1
Fabricante:
Infineon
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Marca

Infineon

Corriente Máxima Continua del Colector

600 A

Tensión Máxima Colector-Emisor

750 V

Tensión Máxima Puerta-Emisor

±20V

Disipación de Potencia Máxima

1 kW

Número de transistores

6

Configuración

Medio puente

Tipo de Montaje

Montaje roscado

Tipo de Canal

N

COO (País de Origen):
DE
Este módulo HybridPACK Drive G2 de Infineon es un módulo de potencia de seis paquetes muy compacto con un encapsulado mejorado optimizado para vehículos híbridos y eléctricos. El módulo de potencia implementa la tecnología de chip de nueva generación EDT3 750 V de Infineon, optimizada para aplicaciones de propulsión eléctrica, en clases de potencia automotriz de rango medio a alto.

Diseño de baja inducción
Tensión de aislamiento de 4.2 kV dc durante 1 segundo
Elevadas distancias de fuga y separación
Placa base PinFin de refrigeración directa
Directrices para el montaje de PCB y enfriador
Tecnología de contacto PressFIT

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