IXYS Módulo IGBT, MIXA225PF1200TSF, Tipo N-Canal, 360 A, 1200 V, SimBus F, 11 pines Montaje en PCB 2

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Código RS:
124-0710
Nº ref. fabric.:
MIXA225PF1200TSF
Fabricante:
IXYS
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Marca

IXYS

Corriente continua máxima de colector Ic

360A

Tipo de producto

Módulo IGBT

Tensión Colector-Emisor máxima VCEO

1200V

Número de transistores

2

Disipación de potencia máxima Pd

1100W

Encapsulado

SimBus F

Tipo de montaje

Montaje en PCB

Tipo de canal

Tipo N

Número de pines

11

Temperatura de Funcionamiento Mínima

150°C

Tensión máxima del emisor de puerta VGEO

±30 V

Tensión de saturación máxima Colector-Emisor VCESAT

1.8V

Temperatura de funcionamiento máxima

-40°C

Anchura

62 mm

Altura

17mm

Serie

MIXA225PF1200TSF

Certificaciones y estándares

No

Longitud

152mm

Estándar de automoción

No

Módulos IGBT, IXYS


IGBT discretos y módulos, IXYS


El transistor bipolar de puerta aislada o IGBT es un dispositivo semiconductor de potencia de tres terminales, notable por su alta eficacia y conmutación rápida. El IGBT combina las características de accionamiento de puerta sencilla de los MOSFET con la capacidad de tensión de baja saturación y alta corriente de transistores bipolares mediante la combinación de un FET de puerta aislada para la entrada de control, y un transistor de potencia bipolar como conmutador, en un único dispositivo.

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