STMicroelectronics Puerta de zanja Parada de campo IGBT, Tipo N-Canal, 10 A, 600 V, TO-252, 3 pines Superficie

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Código RS:
165-8040
Nº ref. fabric.:
STGD5H60DF
Fabricante:
STMicroelectronics
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Marca

STMicroelectronics

Tipo de producto

Puerta de zanja Parada de campo IGBT

Corriente continua máxima de colector Ic

10A

Tensión Colector-Emisor máxima VCEO

600V

Disipación de potencia máxima Pd

88W

Encapsulado

TO-252

Tipo de montaje

Superficie

Tipo de canal

Tipo N

Número de pines

3

Tensión máxima del emisor de puerta VGEO

±20 V

Tensión de saturación máxima Colector-Emisor VCESAT

1.95V

Temperatura de Funcionamiento Mínima

-55°C

Temperatura de funcionamiento máxima

175°C

Serie

H

Certificaciones y estándares

RoHS

Altura

2.4mm

Anchura

6.2 mm

Longitud

6.6mm

Estándar de automoción

No

Energía nominal

221mJ

COO (País de Origen):
CN

Discretos IGBT, STMicroelectronics


IGBT discretos y módulos, STMicroelectronics


El transistor bipolar de puerta aislada o IGBT es un dispositivo semiconductor de potencia de tres terminales, notable por su alta eficacia y conmutación rápida. El IGBT combina las características de accionamiento de puerta sencilla de los MOSFET con la capacidad de tensión de baja saturación y alta corriente de transistores bipolares mediante la combinación de un FET de puerta aislada para la entrada de control, y un transistor de potencia bipolar como conmutador, en un único dispositivo.

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