STMicroelectronics Puerta de zanja Parada de campo IGBT, STGWT20H65FB, Tipo N-Canal, 40 A, 650 V, TO, 3 pines Orificio

No disponible actualmente
Lo sentimos, no sabemos cuándo volverá a estar disponible
Opciones de empaquetado:
Código RS:
192-4809
Nº ref. fabric.:
STGWT20H65FB
Fabricante:
STMicroelectronics
Encuentra productos similares seleccionando uno o varios atributos.
Seleccionar todo

Marca

STMicroelectronics

Tipo de producto

Puerta de zanja Parada de campo IGBT

Corriente continua máxima de colector Ic

40A

Tensión Colector-Emisor máxima VCEO

650V

Disipación de potencia máxima Pd

168W

Encapsulado

TO

Tipo de montaje

Orificio pasante

Tipo de canal

Tipo N

Número de pines

3

Tensión de saturación máxima Colector-Emisor VCESAT

2V

Tensión máxima del emisor de puerta VGEO

±20 V

Temperatura de Funcionamiento Mínima

-55°C

Temperatura de funcionamiento máxima

175°C

Serie

HB

Certificaciones y estándares

RoHS

Estándar de automoción

No

COO (País de Origen):
KR
Estos dispositivos son IGBT desarrollados utilizando una Advanced trinchera puerta y estructura de campo-parada. El dispositivo forma parte de la nueva serie HB de IGBT, que representa un compromiso óptimo entre las pérdidas de conducción y conmutación para maximizar la eficiencia de cualquier convertidor de frecuencia. Además, un coeficiente de temperatura VCE(SAT)ligeramente positivo y una distribución de parámetros muy ajustada resultan en un funcionamiento paralelo más seguro.

Temperatura máxima de unión: TJ= 175 °C.

Serie de conmutación de alta velocidad

Corriente de cola minimizada

VCE(SAT)= 1,55 V (típ.) @ IC= 20 A.

Distribución ajustada de los parámetros

Conexión en paralelo más segura

Resistencia térmica baja

Paquete sin plomo

Enlaces relacionados