IGBT, STGWT20H65FB, N-Canal, 40 A, 650 V, TO, 3-Pines 1 Simple
- Código RS:
- 192-4809
- Nº ref. fabric.:
- STGWT20H65FB
- Fabricante:
- STMicroelectronics
Descuento aplicable por cantidad
Subtotal (1 paquete de 2 unidades)*
5,66 €
(exc. IVA)
6,84 €
(inc.IVA)
Entrega GRATUITA para pedidos superiores a 80,00 €
Agotado temporalmente
- Envío desde el 12 de junio de 2026
¿Necesitas comprar más? Introduce la nueva cantidad y clica en "Consultar fechas de entrega"
Unidad(es) | Por unidad | Por Paquete* |
|---|---|---|
| 2 - 8 | 2,83 € | 5,66 € |
| 10 - 18 | 2,735 € | 5,47 € |
| 20 - 48 | 2,665 € | 5,33 € |
| 50 - 98 | 2,60 € | 5,20 € |
| 100 + | 2,53 € | 5,06 € |
*precio indicativo
- Código RS:
- 192-4809
- Nº ref. fabric.:
- STGWT20H65FB
- Fabricante:
- STMicroelectronics
Especificaciones
Documentación Técnica
Legislación y Conformidad
Datos del Producto
Encuentra productos similares seleccionando uno o varios atributos.
Seleccionar todo | Atributo | Valor |
|---|---|---|
| Marca | STMicroelectronics | |
| Corriente Máxima Continua del Colector | 40 A | |
| Tensión Máxima Colector-Emisor | 650 V | |
| Tensión Máxima Puerta-Emisor | ±20V | |
| Disipación de Potencia Máxima | 168 W | |
| Número de transistores | 1 | |
| Tipo de Encapsulado | TO | |
| Tipo de Montaje | Montaje en orificio pasante | |
| Tipo de Canal | N | |
| Conteo de Pines | 3 | |
| Configuración de transistor | Simple | |
| Dimensiones | 15.8 x 5 x 20.1mm | |
| Temperatura de Funcionamiento Mínima | -55 °C | |
| Temperatura Máxima de Funcionamiento | +175 °C | |
| Seleccionar todo | ||
|---|---|---|
Marca STMicroelectronics | ||
Corriente Máxima Continua del Colector 40 A | ||
Tensión Máxima Colector-Emisor 650 V | ||
Tensión Máxima Puerta-Emisor ±20V | ||
Disipación de Potencia Máxima 168 W | ||
Número de transistores 1 | ||
Tipo de Encapsulado TO | ||
Tipo de Montaje Montaje en orificio pasante | ||
Tipo de Canal N | ||
Conteo de Pines 3 | ||
Configuración de transistor Simple | ||
Dimensiones 15.8 x 5 x 20.1mm | ||
Temperatura de Funcionamiento Mínima -55 °C | ||
Temperatura Máxima de Funcionamiento +175 °C | ||
- COO (País de Origen):
- KR
Estos dispositivos son IGBT desarrollados utilizando una Advanced trinchera puerta y estructura de campo-parada. El dispositivo forma parte de la nueva serie HB de IGBT, que representa un compromiso óptimo entre las pérdidas de conducción y conmutación para maximizar la eficiencia de cualquier convertidor de frecuencia. Además, un coeficiente de temperatura VCE(SAT)ligeramente positivo y una distribución de parámetros muy ajustada resultan en un funcionamiento paralelo más seguro.
Temperatura máxima de unión: TJ= 175 °C.
Serie de conmutación de alta velocidad
Corriente de cola minimizada
VCE(SAT)= 1,55 V (típ.) @ IC= 20 A.
Distribución ajustada de los parámetros
Conexión en paralelo más segura
Resistencia térmica baja
Paquete sin plomo
Serie de conmutación de alta velocidad
Corriente de cola minimizada
VCE(SAT)= 1,55 V (típ.) @ IC= 20 A.
Distribución ajustada de los parámetros
Conexión en paralelo más segura
Resistencia térmica baja
Paquete sin plomo
