IGBT, STGWT20H65FB, N-Canal, 40 A, 650 V, TO, 3-Pines 1 Simple

Estos dispositivos son IGBT desarrollados utilizando una Advanced trinchera puerta y estructura de campo-parada. El dispositivo forma parte de la nueva serie HB de IGBT, que representa un compromiso óptimo entre las pérdidas de conducción y conmutación para maximizar la eficiencia de cualquier convertidor de frecuencia. Además, un coeficiente de temperatura VCE(SAT)ligeramente positivo y una distribución de parámetros muy ajustada resultan en un funcionamiento paralelo más seguro.

Temperatura máxima de unión: TJ= 175 °C.
Serie de conmutación de alta velocidad
Corriente de cola minimizada
VCE(SAT)= 1,55 V (típ.) @ IC= 20 A.
Distribución ajustada de los parámetros
Conexión en paralelo más segura
Resistencia térmica baja
Paquete sin plomo