STMicroelectronics Puerta de zanja Parada de campo IGBT, STGWT20H65FB, Tipo N-Canal, 40 A, 650 V, TO, 3 pines Orificio
- Código RS:
- 192-4809
- Nº ref. fabric.:
- STGWT20H65FB
- Fabricante:
- STMicroelectronics
Descuento aplicable por cantidad
Subtotal (1 paquete de 2 unidades)*
5,66 €
(exc. IVA)
6,84 €
(inc.IVA)
Entrega GRATUITA para pedidos superiores a 80,00 €
Agotado temporalmente
- Envío desde el 09 de julio de 2026
¿Necesitas comprar más? Introduce la nueva cantidad y clica en "Consultar fechas de entrega"
Unidad(es) | Por unidad | Por Paquete* |
|---|---|---|
| 2 - 8 | 2,83 € | 5,66 € |
| 10 - 18 | 2,735 € | 5,47 € |
| 20 - 48 | 2,665 € | 5,33 € |
| 50 - 98 | 2,60 € | 5,20 € |
| 100 + | 2,53 € | 5,06 € |
*precio indicativo
- Código RS:
- 192-4809
- Nº ref. fabric.:
- STGWT20H65FB
- Fabricante:
- STMicroelectronics
Especificaciones
Documentación Técnica
Legislación y Conformidad
Datos del Producto
Encuentra productos similares seleccionando uno o varios atributos.
Seleccionar todo | Atributo | Valor |
|---|---|---|
| Marca | STMicroelectronics | |
| Tipo de producto | Puerta de zanja Parada de campo IGBT | |
| Corriente continua máxima de colector Ic | 40A | |
| Tensión Colector-Emisor máxima VCEO | 650V | |
| Disipación de potencia máxima Pd | 168W | |
| Encapsulado | TO | |
| Tipo de montaje | Orificio pasante | |
| Tipo de canal | Tipo N | |
| Número de pines | 3 | |
| Temperatura de Funcionamiento Mínima | -55°C | |
| Tensión de saturación máxima Colector-Emisor VCESAT | 2V | |
| Tensión máxima del emisor de puerta VGEO | ±20 V | |
| Temperatura de funcionamiento máxima | 175°C | |
| Certificaciones y estándares | RoHS | |
| Serie | HB | |
| Estándar de automoción | No | |
| Seleccionar todo | ||
|---|---|---|
Marca STMicroelectronics | ||
Tipo de producto Puerta de zanja Parada de campo IGBT | ||
Corriente continua máxima de colector Ic 40A | ||
Tensión Colector-Emisor máxima VCEO 650V | ||
Disipación de potencia máxima Pd 168W | ||
Encapsulado TO | ||
Tipo de montaje Orificio pasante | ||
Tipo de canal Tipo N | ||
Número de pines 3 | ||
Temperatura de Funcionamiento Mínima -55°C | ||
Tensión de saturación máxima Colector-Emisor VCESAT 2V | ||
Tensión máxima del emisor de puerta VGEO ±20 V | ||
Temperatura de funcionamiento máxima 175°C | ||
Certificaciones y estándares RoHS | ||
Serie HB | ||
Estándar de automoción No | ||
- COO (País de Origen):
- KR
Estos dispositivos son IGBT desarrollados utilizando una Advanced trinchera puerta y estructura de campo-parada. El dispositivo forma parte de la nueva serie HB de IGBT, que representa un compromiso óptimo entre las pérdidas de conducción y conmutación para maximizar la eficiencia de cualquier convertidor de frecuencia. Además, un coeficiente de temperatura VCE(SAT)ligeramente positivo y una distribución de parámetros muy ajustada resultan en un funcionamiento paralelo más seguro.
Temperatura máxima de unión: TJ= 175 °C.
Serie de conmutación de alta velocidad
Corriente de cola minimizada
VCE(SAT)= 1,55 V (típ.) @ IC= 20 A.
Distribución ajustada de los parámetros
Conexión en paralelo más segura
Resistencia térmica baja
Paquete sin plomo