IGBT, STGWT20H65FB, N-Canal, 40 A, 650 V, TO, 3-Pines 1 Simple

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Código RS:
192-4655
Nº ref. fabric.:
STGWT20H65FB
Fabricante:
STMicroelectronics
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Marca

STMicroelectronics

Corriente Máxima Continua del Colector

40 A

Tensión Máxima Colector-Emisor

650 V

Tensión Máxima Puerta-Emisor

±20V

Número de transistores

1

Disipación de Potencia Máxima

168 W

Tipo de Encapsulado

TO

Tipo de Montaje

Montaje en orificio pasante

Tipo de Canal

N

Conteo de Pines

3

Configuración de transistor

Simple

Dimensiones

15.8 x 5 x 20.1mm

Temperatura de Funcionamiento Mínima

-55 °C

Temperatura Máxima de Funcionamiento

+175 °C

COO (País de Origen):
KR
Estos dispositivos son IGBT desarrollados utilizando una Advanced trinchera puerta y estructura de campo-parada. El dispositivo forma parte de la nueva serie HB de IGBT, que representa un compromiso óptimo entre las pérdidas de conducción y conmutación para maximizar la eficiencia de cualquier convertidor de frecuencia. Además, un coeficiente de temperatura VCE(SAT)ligeramente positivo y una distribución de parámetros muy ajustada resultan en un funcionamiento paralelo más seguro.

Temperatura máxima de unión: TJ= 175 °C.
Serie de conmutación de alta velocidad
Corriente de cola minimizada
VCE(SAT)= 1,55 V (típ.) @ IC= 20 A.
Distribución ajustada de los parámetros
Conexión en paralelo más segura
Resistencia térmica baja
Paquete sin plomo

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