IGBT, STGD5H60DF, N-Canal, 10 A, 600 V, DPAK (TO-252), 3-Pines Simple
- Código RS:
- 906-2798
- Nº ref. fabric.:
- STGD5H60DF
- Fabricante:
- STMicroelectronics
Temporalmente fuera de stock. Disponible a partir del 27/11/2024, con entrega en 4 día(s) laborable(s).
Añadido
Precio unitario (Suministrado en múltiplos de 10)
0,85 €
(exc. IVA)
1,03 €
(inc.IVA)
| Unidades | Por unidad | Por Pack* |
| 10 - 40 | 0,85 € | 8,50 € |
| 50 - 90 | 0,807 € | 8,07 € |
| 100 - 240 | 0,726 € | 7,26 € |
| 250 - 490 | 0,654 € | 6,54 € |
| 500 + | 0,622 € | 6,22 € |
| *precio indicativo | ||
- Código RS:
- 906-2798
- Nº ref. fabric.:
- STGD5H60DF
- Fabricante:
- STMicroelectronics
Legislación y Conformidad
- COO (País de Origen):
- CN
Datos del Producto
Discretos IGBT, STMicroelectronics
IGBT discretos y módulos, STMicroelectronics
El transistor bipolar de puerta aislada o IGBT es un dispositivo semiconductor de potencia de tres terminales, notable por su alta eficacia y conmutación rápida. El IGBT combina las características de accionamiento de puerta sencilla de los MOSFET con la capacidad de tensión de baja saturación y alta corriente de transistores bipolares mediante la combinación de un FET de puerta aislada para la entrada de control, y un transistor de potencia bipolar como conmutador, en un único dispositivo.
Especificaciones
Atributo | Valor |
|---|---|
| Corriente Máxima Continua del Colector | 10 A |
| Tensión Máxima Colector-Emisor | 600 V |
| Tensión Máxima Puerta-Emisor | ±20V |
| Disipación de Potencia Máxima | 83 W |
| Tipo de Encapsulado | DPAK (TO-252) |
| Tipo de Montaje | Montaje superficial |
| Tipo de Canal | N |
| Conteo de Pines | 3 |
| Configuración de transistor | Simple |
| Dimensiones | 6.6 x 6.2 x 2.4mm |
| Temperatura Máxima de Funcionamiento | +175 °C |
| Capacitancia de puerta | 855pF |
| Temperatura de Funcionamiento Mínima | -55 °C |
| Energía nominal | 221mJ |
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