STMicroelectronics AEC-Q101 IGBT, Tipo N-Canal, 30 A, 420 V, TO-263, 3 pines Superficie, 1 MHz

Ver todo IGBT

Subtotal (1 bobina de 1000 unidades)*

1.214,00 €

(exc. IVA)

1.469,00 €

(inc.IVA)

Add to Basket
Selecciona o escribe la cantidad
Los pedidos inferiores a 80,00 € (exc. IVA) tienen un coste de 7,00 €.
Disponible
  • Disponible(s) 1000 unidad(es) para enviar desde otro centro de distribución
¿Necesitas comprar más? Introduce la nueva cantidad y clica en "Consultar fechas de entrega"
Unidad(es)
Por unidad
Por Bobina*
1000 +1,214 €1.214,00 €

*precio indicativo

Código RS:
168-7861
Nº ref. fabric.:
STGB18N40LZT4
Fabricante:
STMicroelectronics
Encuentra productos similares seleccionando uno o varios atributos.
Seleccionar todo

Marca

STMicroelectronics

Corriente continua máxima de colector Ic

30A

Tipo de producto

IGBT

Tensión Colector-Emisor máxima VCEO

420V

Disipación de potencia máxima Pd

150W

Encapsulado

TO-263

Tipo de montaje

Superficie

Tipo de canal

Tipo N

Número de pines

3

Velocidad de conmutación

1MHz

Temperatura de Funcionamiento Mínima

-55°C

Tensión de saturación máxima Colector-Emisor VCESAT

1.7V

Tensión máxima del emisor de puerta VGEO

16 V

Temperatura de funcionamiento máxima

175°C

Anchura

9.35 mm

Certificaciones y estándares

No

Serie

Automotive Grade

Altura

4.6mm

Longitud

10.4mm

Estándar de automoción

AEC-Q101

COO (País de Origen):
CN

Discretos IGBT, STMicroelectronics


IGBT discretos y módulos, STMicroelectronics


El transistor bipolar de puerta aislada o IGBT es un dispositivo semiconductor de potencia de tres terminales, notable por su alta eficacia y conmutación rápida. El IGBT combina las características de accionamiento de puerta sencilla de los MOSFET con la capacidad de tensión de baja saturación y alta corriente de transistores bipolares mediante la combinación de un FET de puerta aislada para la entrada de control, y un transistor de potencia bipolar como conmutador, en un único dispositivo.

Enlaces relacionados

Recently viewed